本实用新型涉及一种半导体突波抑制器封装体结构，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡...

本发明涉及一种半导体雷击保护装置，包括保护器模块，保护器模块包括相对设置的第一端片和第二端片；设置在第一端片和第二端片之间且分别与第一端片和第二端片以焊锡密接相连接的PN结合型半导体晶粒；分别与第一端片和第二端片导电相连接的第一引线和第...

本发明涉及一种半导体突波抑制器封装体结构，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电...

本发明公开了一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。本发明用于半导体制造的扩散工艺，工艺操作简单，磷、硼扩散...

本实用新型公开了一种石英板舟，包括开槽石英棒、挡板和把手，所述开槽石英棒两端与挡板相连，其特征在于：所述开槽石英棒上设有至少一个透气孔洞，所述开槽石英棒有两根，在水平平面内平行设置，所述开槽石英棒底部设有支撑板。本实用新型主要用于在扩散...

本实用新型公开了一种用于扩散炉的石英盖，包括石英盖体，所述石英盖体与扩散炉相连接，所述石英盖体上设有出气口，其特征在于：所述出气口设于石英盖体侧壁上。结构简单，主要用于扩散炉上防止外界气体杂质反冲进入扩散炉内造成污染，可以提高产品品质。

本发明公开了一种导线架结构及其构成的表面黏着型半导体封装结构，其中导线架包括 ：第一接脚部、弯折部和第二接脚部，其中弯折部由第一接脚部的第一端部延伸形成，而第 二接脚部则为由弯折部的颈部延伸形成的方形板体，并且方形板体上形成有方形凸部，...

本实用新型公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆，其中，硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层，其中玻璃层为钝化层，其特征在于，所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽，所述的玻璃层设置在沟槽内，且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄。本实用新型使...

本发明公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法，其中，硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层，其中玻璃层为钝化层，其特征在于，所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽，所述的玻璃层设置在沟槽内，且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄，而其...

本实用新型公开了一种导线架结构及其构成的表面黏着型半导体封装结构，其中导线架包括：第一接脚部、弯折部和第二接脚部，其中弯折部由第一接脚部的第一端部延伸形成，而第二接脚部则为由弯折部的颈部延伸形成的方形板体，并且在方形板体上形成有方形凸部...

本发明公开了一种可改变耐压的瞬态电压抑制器制造方法，其包括下列步骤：提供基板、图案化基板、清洗基板、热处理基板、及形成金属电极。利用改变基板热处理时的温度，可形成不同厚度的氧化绝缘层的性质，来改变瞬态电压抑制器的耐压，以此可有效地减少瞬...