一种半导体雷击保护装置制造方法及图纸

技术编号:9061534 阅读:200 留言:0更新日期:2013-08-22 00:42
本发明专利技术涉及一种半导体雷击保护装置,包括保护器模块,保护器模块包括相对设置的第一端片和第二端片;设置在第一端片和第二端片之间且分别与第一端片和第二端片以焊锡密接相连接的PN结合型半导体晶粒;分别与第一端片和第二端片导电相连接的第一引线和第二引线;包覆在第一端片、第二端片和PN结合型半导体晶粒的外部的涂覆层和包覆在涂覆层的外部的封胶体,第一引线和第二引线的另一端分别穿过涂覆层和封胶体露在外部。本发明专利技术能够在承受高电流密度突波以及雷击冲击波的情况下使得被保护组件或装置仍旧正常、有效地工作;且耐雷击可靠度高,符合各种国际雷击及突波冲击规格;且在受到高电流冲击时仍维持稳定电压,不产生急速电压波动的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体雷击保护装置,其特征在于,包括一保护器模块,所述的保护器模块包括第一端片、第二端片、PN结合型半导体晶粒、第一引线、第二引线、涂覆层和封胶体,所述的第一端片和第二端片相对设置,所述的PN接合型半导体晶粒设置在第一端片和第二端片之间,且分别与第一端片和第二端片以焊锡密接相连接,所述的涂覆层包覆在所述的第一端片、第二端片和PN结合型半导体晶粒的外部,而所述的封胶体则包覆在涂覆层的外部,且所述的第一引线的一端与第一端片导电相连接,另一端穿过涂覆层和封胶体露在外部,同样,所述的第二引线的一端与第二端片导电相连接,另一端穿过涂覆层和封胶体露在外部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张仓生郭宗裕王自强
申请(专利权)人:昆山东日半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1