热处理装置制造方法及图纸

通过控制从加热座的周缘部进入的磁通量的透射，准确控制加热座的面内温度。为具有载置基板的载置面的导电部件，包括：加热座（200），其分为周缘部（210）和包围于该周缘部的内侧部（220），内侧部包括厚板状发热体，周缘部将比内侧部薄的薄板状发热体在互相电绝缘的状态下层叠而构成；和电磁铁（120），其从加热座的侧面在平行于该载置面的方向上形成交流磁场，通过由施加于卷绕于该电磁铁的感应线圈（124）的两个频率的高频电流来控制在各薄板状发热体产生的感应电流而控制磁通量透过内侧部，由此改变各加热座的周缘部的发热量和内侧部的发热量的比例来进行温度控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对基板例如半导体晶片和玻璃基板等实施规定的热处理的热处理装置。
技术介绍
当制造半导体集成电路时，对基板表面实施硅膜或硅氧化膜等的各种的成膜处理、氧化处理等的各种热处理。进行这些热处理时，经常使用能够配置多个半导体晶片(以下，简称为‘晶片’)并一次进行热处理的所谓分批式的热处理装置。作为分批式的热处理装置，主要使用利用电炉对收纳有多个晶片的反应管进行加热的电炉方式(热壁(hot wall)方式)。但是，在电炉方式中，由于炉整体的热容量大，存在 使晶片的温度上升和下降时需要较多的时间并且生产性大幅下降的问题。此外，也有利用高频感应加热方式对晶片加热的热处理装置(例如参照专利文献1、2)。这种类型的热处理装置一般具有卷绕在反应管的外侧的感应线圈，将高频电流供给于该感应线圈，将配置于反应管内的导电性的加热座(基座susceptor)诱导感应加热，通过热传导间接地对载置于加热座的晶片加热。据此，不需要对反应管直接加热，由于减少加热座的热容量，相比电炉方式能够实现更高速的晶片温度的升温降温。另外，能够独立于晶片温度来控制反应管的壁的温度，因此也能够构成所谓的冷壁(cold wa本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：米永富广，河野有美子，内田直喜，尾崎一博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，三井造船株式会社，
类型：
国别省市：