半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法包括：将掩模用墨（24）涂敷于半导体衬底（10）形成掩模（31、32）的工序以及形成扩散层（12，13）的工序，还包括在掩模用墨（24）的涂敷前、涂敷中及涂敷后的至少任一时机对掩模用墨（24）进行加热的工序和对掩模用墨（24）进行光照射的工序中的任一工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，由于能量资源枯竭的问题及大气中C02增加的地球环境问题等而期望开发清洁的能源，在半导体装置中作为新的能量源特别开发了使用太阳能电池的太阳能发电，正处于实用化及发展的阶段。在太阳能电池中，目前通过例如在单晶或多晶的硅衬底的受光面上扩散与硅衬底的导电型相反的导电型的杂质来形成pn结，并在硅衬底的受光面和与受光面相反侧的背面分别形成电极，由此制造的双面电极型太阳能电池成为主流。另外，在双面电极型太阳能电池中，在硅衬底的背面以高浓度扩散与硅衬底相同导电型的杂质来实现基于背面电界 效果的高输出化，这已成为普遍技术。另外，对于在硅衬底的受光面不形成电极而仅在背面形成电极的背面电极型太阳能电池也进行了研究开发(例如，参照专利文献I (特开2007-049079号公报))。现有技术文献专利文献I:特开2007-049079号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术课题为了使专利文献I记载的背面电极型太阳能电池的特性提高，优选以微细的线宽分别形成硅衬底的背面的P型掺杂剂扩散层及η型掺杂剂扩散层。为了实现这种微细的细线，需要在所期望的掺杂剂扩散区域外精确地形成扩散控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小平真继，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：