垂直直列CVD系统技术方案

本发明专利技术大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical?vapor?deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直直列CVD系统专利技术背景专利
本专利技术的实施例大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapordeposition;CVD)系统。相关技术的描述CVD是一种将化学前驱物引入处理腔室中、发生化学反应以形成预定化合物或材料，及将该预定化合物或材料沉积于处理腔室内的基板上的工艺。存在若干种CVD工艺。一种CVD工艺为在腔室中点燃等离子体以增强前驱物之间的反应的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition;PECVD)。可藉由使用感应稱合等离子体源或电容耦合等离子体源而完成PECVD。 CVD工艺可用以处理大面积基板，诸如平板显示器或太阳电池板。CVD可用以沉积多层，诸如用于晶体管的硅基薄膜。在此项技术中需要一种降低平板显示器装置的制造成本的方法及设备。
技术实现思路
本专利技术大体而言关于一种垂直CVD系统,该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，J·库德拉，S·安瓦尔，J·M·怀特，DK·伊姆，H·沃尔夫，D·兹瓦罗，稻川真，I·莫里，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：