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本发明的半导体装置的制造方法包括：将掩模用墨（24）涂敷于半导体衬底（10）形成掩模（31、32）的工序以及形成扩散层（12，13）的工序，还包括在掩模用墨（24）的涂敷前、涂敷中及涂敷后的至少任一时机对掩模用墨（24）进行加热的工序和对掩...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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