【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及。
技术介绍
在目前的太阳能电池市场上以晶体硅太阳能电池为主，发展的趋势是在减少生产成本的同时进一步提高太阳能电池的转换效率。目前提高太阳能电池转化效率主要通过两个方面来实现一方面是均匀太阳能电池表面的杂质浓度；另一方面是降低太阳能电池片的PN结结深。在太阳能电池片的制作过程中，太阳能电池表面的杂质浓度和太阳能电池片的PN结结深主要取决于扩散工艺步骤。传统的太阳能电池片的制作过程采用的扩散工艺一般为在恒温条件下进行干法氧化扩散，主要包括两个步骤首先进行杂质沉积，使杂质分布在半导体衬底表面；然后再进行干法氧化扩散，即在扩散的过程中通入干燥的氧气，对制绒后的半导体衬底进行氧化，从而在所述半导体衬底表面沉积有杂质的一侧形成氧化层，用于杂质再分布。但是，现有技术中利用上述工艺形成的太阳能电池转换效率较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供，用于改善太阳能电池片的表面杂质浓度及太阳能电池片的PN结结深，从而提高太阳能电池片的转化效率。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案一种太阳能电池电池片的扩散方法，包括提供半导体衬底...
【技术保护点】
一种太阳能电池片的扩散方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在第一温度条件下，在所述半导体衬底的待扩散表面形成杂质层；在第二温度条件下，利用湿法氧化工艺对半导体衬底表面形成有杂质层的一侧进行氧化，在所述半导体衬底表面形成氧化层；在第二温度条件下，对氧化后的半导体衬底进行保温；其中，所述第一温度小于第二温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王路，苏亚立，吴卫平，曾德栋，彭丽霞，王家道，朱志文，
申请(专利权)人：海南英利新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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