本发明专利技术公开了一种太阳能电池硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。对硅片的正面进行单面制绒，背面采用抛光处理，减少了制绒试剂的使用，降低了成本，并且可以确保硅片的有效厚度，提高了电池硅片的背面钝化与长波的反射，有利于电池硅片正面对长波的吸收。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及。
技术介绍
现有的太阳能电池片制作工艺如下：1、对原始娃片进行清洗，2、将清洗后的娃片 正背两面同时浸泡进行双面链式制绒，3、扩散，4、去PSG，5、采用pecvd法沉积减反射纯化 膜，6、印刷并烧结电极背电场、背电极W及正电极，7、测试分选。上述制作工艺中存在=个 问题，第一个问题是：在娃片的正背双面均进行制绒，在表面清洁无问题的情况下，双面腐 蚀制绒后，背面由于也制作了绒面从而降低了娃片的有效厚度，导致背面长波吸收较多，不 利于背面对长波进行反射；第二问题是：背面进行制绒，增加了一倍的制绒试剂，增加了成 本；第=个问题是：在背面沉积减反射纯化膜过程中，由于绒面的存在，降低了背面和电极 背电场之间的镜面反射，损失了部分长波能量。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种太阳能电池片的制备方 法。 为了实现上述目的，本专利技术所设计的，包括W下步 骤： 阳0化](1)、对原始娃片进行清洗； 似、对清洗后的娃片正面进行链式制绒； (3)、将上述娃片的背面背靠背进行单面扩散，娃片正面为扩散面； (4)、去PSG; 巧）、对娃片的背面进行抛光处理； 化）、在扩散后的娃片正面采用pecvd法沉积减反射纯化膜； (7)、丝网印刷并烧结电极与背电场； 阳01引 做、测试分选。 上述步骤（2)中，娃片背面采用水膜保护。 上述步骤似中，制绒药液包括氨氣酸、硝酸化及硫酸。 所述氨氣酸、硝酸W及硫酸的体积比为1 : 2~3 : 0.5。 上述步骤巧）中抛光处理的抛光液为TMAH溶液。 所述TMAH溶液中TMAH与纯水的体积比为1 : 10~1 : 15。[001引本专利技术得到的，其技术效果是：1、对娃片的正面进 行单面制绒，背面采用抛光处理，减少了制绒试剂的使用，降低了成本，并且可W确保娃片 的有效厚度，提高了电池娃片的背面纯化与长波的反射，有利于电池娃片正面对长波的吸 收；2、由于单面制绒，有利于员工对制绒后的娃片正背面的识别与操作，提高电池操作的一 致性；3、由于电池娃片背面的变化，有利于后续与侣浆料进行匹配形成更好的背纯化场，进 一步提升电池转换效率。【附图说明】 图1是本专利技术的制备方法流程图。【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 如图1所示，本专利技术提供的一种太阳能电池娃片的制备方法，包括W下步骤： (1)、对原始娃片进行清洗；(2)、对清洗后的娃片正面进行链式制绒，背面采用水膜保护；(3)、将上述娃片的背面背靠背进行单面扩散，娃片正面为扩散面； 阳0巧](4)、去PSG ; 阳0%] 巧）、对娃片的背面进行抛光处理，抛光处理液采用TMAH溶液； 化）、在扩散后的娃片正面采用pecvd法沉积减反射纯化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场； 做、测试分选。 上述步骤似中的制绒药液包括氨氣酸、硝酸W及硫酸，并且氨氣酸、硝酸W及硫 酸的体积比为1 : 2~3 : 0.5。 上述步骤巧）中的TMAH溶液，TMAH与纯水的体积比为1 : 10~1 : 15。 通过本专利技术的制备方法与现有技术中的制备方法制得太阳能电池片，进行检测比 较后得到下表1的数据： 阳03引表1:太阳能电池片性能比较表 其中电池片1与电池片2是采用本专利技术的制备方法制得的电池片，即采用正面制 绒背面抛光制得的电池片，电池片1中用的TMAH溶液中TMAH与纯水的体积比为1 : 10,电 池片2中用的TMAH溶液中TMAH与纯水的体积比为1 : 15。Eff提升1为电池片1和常规 电池的效率提升差值，Eff提升2为电池片2与常规电池的效率提升差值。 从上表1中可W看出，采用本专利技术的制备方法制得的电池片相对现有技术中制得 的常规电池而言，具有较好的转换效率，尤其是在TMAH溶液浓度相对较低的情况下。【主权项】1. ，其特征在于，包括以下步骤： (1) 、对原始硅片进行清洗； (2) 、对清洗后的硅片正面进行链式制绒； (3) 、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面； (4)々PSG; (5) 、对硅片的背面进行抛光处理； (6) 、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜； (7) 、丝网印刷并烧结电极与背电场； (8) 、测试分选。2. 根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：上述步骤⑵中，硅 片背面采用水膜保护。3. 根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：上述步骤（2)中，制 绒药液包括氢氟酸、硝酸以及硫酸。4. 根据权利要求3所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述氢氟酸、硝酸以 及硫酸的体积比为1 : 2~3 : 0.5。5. 根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：上述步骤（5)中抛 光处理的抛光液为TMAH溶液。6. 根据权利要求5所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述TMAH溶液中 TMAH与纯水的体积比为1 : 10~1 : 15。【专利摘要】本专利技术公开了一种太阳能电池硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。对硅片的正面进行单面制绒，背面采用抛光处理，减少了制绒试剂的使用，降低了成本，并且可以确保硅片的有效厚度，提高了电池硅片的背面钝化与长波的反射，有利于电池硅片正面对长波的吸收。【IPC分类】C30B33/10, H01L31/18【公开号】CN105428462【申请号】CN201511008173【专利技术人】张文锋, 崔红星 【申请人】东方日升新能源股份有限公司【公开日】2016年3月23日【申请日】2015年12月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、对原始硅片进行清洗；(2)、对清洗后的硅片正面进行链式制绒；(3)、将上述硅片的背面背靠背进行单面扩散，硅片正面为扩散面；(4)、去PSG；(5)、对硅片的背面进行抛光处理；(6)、在扩散后的硅片正面采用pecvd法沉积减反射钝化膜；(7)、丝网印刷并烧结电极与背电场；(8)、测试分选。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文锋，崔红星，
申请(专利权)人：东方日升新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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