一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。所述注入盘本体上开设第一凹槽，所述第一凹槽的槽底开设第二凹槽，且第二凹槽的横截面积小于所述第一凹槽的横截面积，形成台阶槽；所述第一凹槽槽底搭设硅片正面无效区域，使得硅片正面有效区域与第二凹槽为镂空式；所述注入盘本体上设有夹具，所述夹具与注入盘本体铰接，使得夹具能够夹紧硅片或松开硅片。本申请的注入盘本体上开设台阶槽，用来放置硅片。台阶槽与硅片正面有效区域不接触，背面注入时，无需对硅片正面加保护，作业过程不会对硅片正面造成影响。不仅结构简单，操作便捷，而且避免了硅片正面擦划伤、颗粒沾污。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构
本技术涉及一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，属于集成电路或分立器件芯片制造

技术介绍
制作功率器件的外延片使用的衬底主要是选择电阻率相对较高的掺锑衬底，目的是减小外延自掺杂效应，提高外延层电阻率及厚度的均匀性。由于使用掺锑硅衬底，其电阻率目前只能做到0.01～0.02ohm.cm，此电阻率不足以使其与背面金属形成良好的欧姆接触，在器件制作完成后需要增加一步背面注入工艺，提高其掺杂浓度，降低电阻Rdon。背面注入时，硅片的正面已经制作完成，通常采用匀胶或贴膜方式对硅片正面进行保护，避免了硅片正面擦划伤、颗粒沾污。上述两种防护方式有其缺点，匀胶方式流程复杂、成本较高；贴膜方式虽简单易实施，但在注入作业时硅片正面所贴蓝膜承受最高温度约90～120℃，超过最高温度时，蓝膜会有类似油雾析出，沾污硅片背面，且无法采取有效措施去除油雾，进而影响产品成品率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，对硅片进行背面注入时，无需对硅片正面进行保护，不仅避免贴膜方式在高温时有油雾析出，而且避免硅片正面擦划伤、颗粒沾污，产品成品率高。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，包括注入盘本体，所述注入盘本体上开设第一凹槽，所述第一凹槽的槽底开设第二凹槽，且第二凹槽的横截面积小于所述第一凹槽的横截面积，形成台阶槽；所述第一凹槽槽底搭设硅片正面无效区域，使得硅片正面有效区域与第二凹槽为镂空式；所述注入盘本体上设有夹具，所述夹具与注入盘本体铰接，使得夹具能够夹紧硅片或松开硅片。所述夹具包括把手和压块，所述注入盘本体上横向穿设销轴，且所述销轴上套有弹性件，所述把手分别设于注入盘本体两侧，两所述把手固定于销轴两端，所述压块对称设于台阶槽两侧，且所述压块分别固定于所述把手上，下压任一所述把手，带动两压块同步压紧硅片无效区域，松开所述把手，两压块自动复位。任一所述把手上竖向开设定位孔，所述定位孔内设有定位螺丝。与现有技术相比，本技术的优点在于：一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，注入盘本体上开设台阶槽，用来放置硅片。由于台阶槽与硅片正面有效区域不接触，在背面注入时，无需对硅片正面加保护，作业过程不会对硅片正面造成影响。不仅结构简单，操作便捷，而且避免了硅片正面擦划伤、颗粒沾污，提高了产品成品率。附图说明图1为本技术实施例一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构的正视图；图2为图1的俯视图；图中1注入盘本体、1.1台阶槽、2硅片、3夹具、3.1定位螺丝、3.2压块、3.3弹簧、3.4把手。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1、2所示，本实施例中的一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，包括注入盘本体1，注入盘本体1上表面开设第一凹槽，第一凹槽的槽底开设第二凹槽，且第二凹槽的横截面积小于第一凹槽的横截面积，形成台阶槽1.1。第一凹槽槽底搭设硅片2正面无效区域，使得硅片2正面有效区域与第二凹槽为镂空式，避免了硅片2正面有效区域作业过程中不会对硅片2正面造成影响。注入盘本体1上横向穿设销轴，且销轴上套设弹簧3.3，销轴两端分别设有把手3.4，把手3.4设于台阶槽1.1两侧，且把手3.4上分别设置3mm*3mm的压块3.2，下压一把手3.4，带动两压块3.2同步向硅片2无效区域靠近并压紧硅片2无效区域；松开把手3.4，两压块3.2自动复位，即压块3.2远离硅片2，使得硅片能够从注入盘本体2取出。任一把手上竖向开设定位孔，定位孔内设有定位螺丝3.1。通过定位螺丝3.1伸入定位孔的深度调节压块3.2与硅片2的贴紧度。上述把手3.4可以相同长度也可以不同长度，按压一侧把手即可实现两压块同步压紧硅片。本申请在注入盘本体上开设台阶槽，用来放置硅片。由于台阶槽与硅片正面有效区域不接触，在背面注入时，无需对硅片正面加保护，作业过程不会对硅片正面造成影响。不仅结构简单，操作便捷，而且避免了硅片正面擦划伤、颗粒沾污，提高了产品成品率。除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，包括注入盘本体(1)，其特征在于：所述注入盘本体(1)上开设第一凹槽，所述第一凹槽的槽底开设第二凹槽，且第二凹槽的横截面积小于所述第一凹槽的横截面积，形成台阶槽(1.1)；所述第一凹槽槽底搭设硅片(2)正面无效区域，使得硅片(2)正面有效区域与第二凹槽为镂空式；所述注入盘本体(1)上设有夹具(3)，所述夹具(3)与注入盘本体(1)铰接，使得夹具(3)能够夹紧硅片(2)或松开硅片(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，包括注入盘本体(1)，其特征在于：所述注入盘本体(1)上开设第一凹槽，所述第一凹槽的槽底开设第二凹槽，且第二凹槽的横截面积小于所述第一凹槽的横截面积，形成台阶槽(1.1)；所述第一凹槽槽底搭设硅片(2)正面无效区域，使得硅片(2)正面有效区域与第二凹槽为镂空式；所述注入盘本体(1)上设有夹具(3)，所述夹具(3)与注入盘本体(1)铰接，使得夹具(3)能够夹紧硅片(2)或松开硅片(2)。


2.根据权利要求1所述的一种适用于硅片背面注入工艺的镂空装载结构，其特征在于：所述夹具(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩敏杰，王法华，王海东，鲁烨，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32