一种硅片翘曲度测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种硅片翘曲度测试装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括用于设置待测硅片的承片台和传感器，所述承片台滑动设于测量座的平台上，使得承片台相对测量座的位置便于调整；所述承片台正上方设有测距传感器，所述测量座的立柱上设置固定支架，所述传感器设于固定支架上；所述传感器与其配套的控制器电连接。所述承片台包括第一平台和第二平台，所述第二平台设于第一平台上，所述第二平台竖向开设若干校正孔，所述校正孔内分别设有校正件。本申请避免了对硅片的损伤，不仅测试快速便捷，而且测试精度高、测试量程大。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片翘曲度测试装置
本技术涉及一种硅片翘曲度测试装置，属于集成电路或分立器件芯片制造

技术介绍
半导体功率器件在实现背面电极时需要对硅片进行减薄，为追求更低的功耗，减薄后的硅片越来越薄。减薄后的硅片需要对其翘曲度进行精密测量并对测量过程进行监控。目前主要有三种测试方法：1)C200B厚度测试仪，利用上下两个电容探头，根据电容值与距离成反比的关系运算得到硅片各点高度，从而得出翘曲度；2)粗糙度测试仪，利用探针在硅片表面滑动，使得与探针相连的铁芯切割磁场产生感应电流，并通过模数转化及运算处理得出翘曲度；3)塞尺，测试翘曲硅片边缘翘起的高度，粗略得出翘曲度。上述三种方法中，厚度测试仪测试翘曲度的数值最为准确，但测试时硅片放置的平台中间镂空且边缘只有三个针支撑，硅片会因为自身重力而使得平台下凹，且测试量程较小，对翘曲程度较大的硅片无法测试。粗糙度测试仪测试的方法为探针接触式，易损伤硅片表面，且测试区域较小，无法反应整片硅片翘曲度。而塞尺测试的准确性较差，且测试也较不方便，测试结果受人的因素影响较大。因此，需要一种更为实用且有效的方法对硅片的翘曲进行测试。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种硅片翘曲度测试装置，不仅测试精度高，测试量程大；而且测试流程便捷，提高测试效率。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种硅片翘曲度测试装置，包括用于设置待测硅片的承片台和传感器，所述承片台滑动设于测量座的平台上，便于调整承片台相对测量座的位置；所述承片台正上方设有测距传感器，所述测量座的立柱上设置固定支架，所述传感器设于固定支架上，传感器对硅片表面的高度进行测试；所述传感器与其配套的控制器电连接。所述承片台底部对称设有若干滑片。所述承片台包括第一平台和第二平台，所述第二平台设于第一平台上，所述第二平台竖向开设若干校正孔，所述校正孔内分别设有校正件，实现第二平台相对第一平台的水平度校正。所述传感器为激光测距传感器，所述滑片为特氟龙滑片，所述测量座为大理石平台测量座。所述控制器与清零按钮电连接。与现有技术相比，本技术的优点在于：一种硅片翘曲度测试装置，将待测硅片放置在承片台的第二平台上，手动移动承片台在大理石平台上移动，滑动时避免了大理石平台对硅片的损伤，且测试快速便捷。利用激光测距传感器测试硅片表面高度，避免了测具接触硅片表面，测试时不会对硅片翘曲度产生影响，且测试精度高、测试量程大，对于一些超大翘曲度硅片也能很好的进行测试。附图说明图1为本技术实施例一种硅片翘曲度测试装置的示意图；图2为本技术实施例一种硅片翘曲度测试装置中承片台的示意图；图3为图2中A-A剖视图；图中1大理石平台测量座、1.1平台、1.2立柱、2激光测距传感器、3固定支架、4承片台、4.1第一平台、4.2第二平台、4.3校正孔、4.4特氟龙滑片、5控制器、6清零按钮。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1所示，本实施例中的一种硅片翘曲度测试装置，包括用于设置待测硅片的承片台4和激光测距传感器2，承片台4底部环向均匀间隔设有4个特氟龙滑片4.4，将承片台4设于大理石平台测量座1的平台1.1上，使得承片台4能够相对平台1.1滑动，便于调整承片台4相对平台1.1的位置。承片台4正上方设有激光测距传感器2，在大理石平台测量座4的立柱1.2上设置固定支架3，固定支架3上固定连接激光测距传感器2，激光测距传感器2用于测试硅片表面的高度。通过测试硅片不同位置的表面高度，计算差值后得到硅片翘曲度。根据不同传感器的参数，最终确定了精度、测试距离及光斑大小都较为合适的LK-G32传感器，并且为LK-G32传感器配置配套的控制器5、显示器及电源，使得LK-G32传感器测试的数值能够显示在显示器上，便于记录。图2、3所示，上述承片台4包括第一平台4.1和第二平台4.2，第二平台4.2设于第一平台4.1上，第二平台4.2上竖向开设3个校正孔4.3，3个校正孔4.3环向均匀间隔设置，校正孔4.3内分别设有校正件。校正孔为螺纹孔，校正件为顶丝，通过调整3个顶丝，实现第二平台4.2相对第一平台4.1的水平度校正，减少承片台4水平度误差。控制器5上外接清零按钮6，测试时通过移动承片台4首先找到待测硅片最低点后清零，然后逐步移动至最高点，即为该硅片翘曲度。本申请将待测硅片放置在承片台4的第二平台4.2上，手动移动承片台4在平台1.1上移动，硅片不与大理石平台接触，滑动时避免了大理石平台对硅片的损伤，且测试快速便捷。利用激光测距传感器2测试硅片表面高度，避免了测具接触硅片表面，测试时不会对硅片翘曲度产生影响，且测试精度高、测试量程大，对于一些超大翘曲度硅片也能很好的进行测试。除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片翘曲度测试装置，其特征在于：包括用于设置待测硅片的承片台（4）和传感器，所述承片台（4）滑动设于测量座的平台（1.1）上，便于调整承片台（4）相对测量座的位置；所述承片台（4）正上方设有测距传感器，所述测量座的立柱（1.2）上设置固定支架（3），所述传感器设于固定支架（3）上，传感器对硅片表面的高度进行测试；所述传感器与其配套的控制器（5）电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片翘曲度测试装置，其特征在于：包括用于设置待测硅片的承片台（4）和传感器，所述承片台（4）滑动设于测量座的平台（1.1）上，便于调整承片台（4）相对测量座的位置；所述承片台（4）正上方设有测距传感器，所述测量座的立柱（1.2）上设置固定支架（3），所述传感器设于固定支架（3）上，传感器对硅片表面的高度进行测试；所述传感器与其配套的控制器（5）电连接。


2.根据权利要求1所述的一种硅片翘曲度测试装置，其特征在于：所述承片台（4）底部对称设有若干滑片。


3.根据权利要求2所述的一种硅片翘曲度测试装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚宇科，李天鹏，孙斌，虞登恒，石坚，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32