【技术实现步骤摘要】
PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构及制造方法
本专利技术属于集成电路或分立器件制造
，特别是涉及一种PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构及其制造方法。
技术介绍
根据市场的需求开发的PNP型低BVEBO达林顿三极管产品主要作为音响功放用的放大对管使用，这类应用的功放电路的拓扑结构都是甲乙类放大器为主，此类型的放大器，为了获得更好的线性，一般都倾向于采用具备高β的达林顿晶体管。在甲乙类放大器中，比较容易产生交越失真，导致谐波丢失。为了减小交越失真，就要求晶体管产品的各项参数需要适应用户的主流电路结构和参数。而BVEBO参数会影响到电路取样，当晶体管的参数温度变化与取样产品的温度变化不同步时，就容易导致交越失真，而用于甲乙类功放的晶体管的耐压通常比较高，放大较大，因此通常匹配的工艺使得基区浓度偏单，结深偏深，最终导致BVEBO都是一般都在15V以上。从经验来看，当晶体管的BVEBO在12V左右时，交越失真较小。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了降低达林顿晶体管的BVEBO，减小在音...
【技术保护点】
1.一种PNP型低BV
【技术特征摘要】
1.一种PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构，其特征在于，其包括重型掺硼掺杂衬底作为的基准片，在所述重型掺硼掺杂衬底之上外延一层同种掺杂类型但是掺杂总量仅占重型掺硼掺杂衬底的掺杂量的5％～15％的P型高电阻率的轻掺厚外延层，在所述轻掺厚外延层上采用高温扩散的方式形成两个圆柱形的N型基区有源区，分别作为T1管和T2管的基区，在两个所述N型基区有源区的顶部分别采用相同的窗口再次进行N型重掺杂，并且进行氧化扩散以形成N+型区域和隔离氧化层，通过光刻和扩散方法在N+型区域内形成重掺的P型发射区，同时在划片区域内和T1管、T2管间隔区域内形成保护环，并且在表面使用LPCVD的方法淀积一层二氧化硅作为铝下隔离介质和保护层，在N+型区域和P型发射区内部开出用于金属引线的接触孔，在接触孔的上部采用蒸发的方式淀积一层金属作为芯片与成品管的连接层，连接层将T1管与T2管串联起来，在连接层的上部采用聚酰亚胺光刻胶形成保护层，并且留有锯片和封装球焊用的PAD区。
2.如权利要求1所述的PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构，其特征在于，所述重型掺硼掺杂衬底的电阻率为0.006-0.009欧姆每厘米。
3.如权利要求1所述的PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构，其特征在于，所述轻掺厚外延层厚度是15～50微米。
4.一种PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤一、在重型掺硼掺杂衬底之上外延一层同种掺杂类型但是掺杂总量仅占重型掺硼掺杂衬底的掺杂量的5％～15％的P型高电阻率的轻掺厚外延层，用高温氧化的方法热氧化生长一层厚度等于0.9～1.1微米的二氧化硅层用于后续T1、T2管源区掺杂、阻挡用的隔离氧化层，并依次采用负性光刻胶、接触式曝光、湿法腐蚀的方法形成用于T1、T2管的窗口；
步骤二、采用高温氧化的方法在T1、T2管的窗...
【专利技术属性】
技术研发人员：许柏松，沈晓东，徐永斌，叶新民，沈峰，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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