一种适用于超薄硅片的腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括机座和腐蚀花篮，所述机座上设有第一转轴，所述第一转轴上固定设有两摆臂，所述摆臂下方设有酸槽和水槽，所述酸槽和水槽沿水平平行设置，所述腐蚀花篮转动设于两摆臂之间，受第一电机驱动使得第一转轴转动，带动两摆臂、腐蚀花篮同步转动，实现腐蚀花篮在酸槽和水槽之间任意切换；所述腐蚀花篮内设置用于放置超薄硅片的腐蚀专用片架，受第二驱动装置驱动使得第二转轴转动，带动腐蚀花篮在酸槽内旋转。本申请不仅结构简单，操作方便，而且降低了超薄硅片的腐蚀碎片率，减少了硅片的损失，降低了生产成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于超薄硅片的腐蚀装置
本技术涉及一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，属于集成电路或分立器件制造

技术介绍
半导体芯片的发展，在追求高集成度的同时也在追求降低封装密度。实现低的封装密度，就要低的硅片厚度。在硅片分离前对硅片进行超薄化加工，加工后的硅片需要进行腐蚀工艺来去掉加工产生的应力。传统的硅片腐蚀工艺为：硅片在酸液中，酸槽底部的转轴旋转，从而带动硅片在酸槽内旋转腐蚀。上述腐蚀工艺存在不足之处为：1、超薄硅片受到转轴的旋转力，容易碎裂；2、超薄硅片采用该方式腐蚀时容易卡片架，导致碎裂；3、超薄硅片采用手动腐蚀，在冲水时容易碎裂。采用传统的腐蚀工艺，超薄硅片的碎片率很高，超过了10％。超高的碎片率影响到了硅片的成本与订单交付。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，降低超薄硅片在腐蚀工艺过程中的碎片率，降低生产成本，提高生产效率。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，包括机座和腐蚀花篮，所述机座上水平设有第一转轴，所述第一转轴上固定设有两竖向设置的摆臂，所述摆臂下方设有酸槽和水槽，所述酸槽和水槽沿水平平行设置，所述腐蚀花篮设于两摆臂之间，所述腐蚀花篮两侧分别固定第二转轴，所述第二转轴与对应侧的摆臂转动连接，受第一电机驱动使得第一转轴转动，带动两摆臂、腐蚀花篮同步转动，实现腐蚀花篮在酸槽和水槽之间任意切换；所述腐蚀花篮内设置用于放置超薄硅片的腐蚀专用片架，受第二驱动装置驱动使得第二转轴转动，带动腐蚀花篮在酸槽内旋转。所述第二驱动装置包括第二电机和传动轴，所述第二电机的输出轴上设置第二主动齿轮，所述传动轴上设置第一传动齿轮和第二传动齿轮，所述第一传动齿轮与第二主动齿轮之间设有第一链条，所述第二转轴上设置第二从动齿轮，所述第二传动齿轮和第二主动齿轮之间设有第二链条。与现有技术相比，本技术的优点在于：一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，通过控制摆臂转动，使得腐蚀花篮自动在酸槽和水槽中切换；通过控制腐蚀花篮旋转，使得腐蚀专用片架与待腐蚀硅片一起在酸槽内旋转腐蚀。不仅结构简单，操作方便，而且降低了超薄硅片的腐蚀碎片率，减少了硅片的损失，降低了生产成本，提高了生产效率。附图说明图1为本技术实施例一种适用于超薄硅片的腐蚀装置的侧视图；图2为本技术实施例一种适用于超薄硅片的腐蚀装置的局部正视图；图中1水槽、2腐蚀花篮、3摆臂、4酸槽、5第一转轴、6机座、7第一电机、8第二转轴、9第二传动齿轮、10第一传动齿轮、11传动轴、12第一链条、13第一主动齿轮、14第二电机、15第二链条、16第二从动齿轮。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1所示，本实施例中的一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，包括机座和腐蚀花篮，机座上水平设有第一转轴，第一转轴底部固定设有两竖向设置的摆臂，两摆臂底部设有酸槽和水槽，酸槽和水槽沿水平平行设置机座上，腐蚀花篮两侧分别固定第二转轴，第二转轴分别与对应侧的摆臂转动连接，且腐蚀花篮设于酸槽或水槽中，受第一电机驱动使得第一转轴360°旋转，带动两摆臂、腐蚀花篮同步转动，实现腐蚀花篮在酸槽和水槽内任意切换。腐蚀花篮内设置腐蚀专用片架，腐蚀专用片架用于放置超薄硅片。腐蚀花篮一侧的转轴上设有第二驱动装置，受第二驱动装置驱动使得第二转轴转动，带动腐蚀花篮在酸槽内旋转。如图2所示，第二驱动装置包括第二电机和传动轴，第二电机的输出轴上设置第二主动齿轮，在第二电机和第二转轴之间设有传动轴，传动轴上设置第一传动齿轮和第二传动齿轮，第一传动齿轮与第二主动齿轮之间设有第一链条，第二转轴上设置第二从动齿轮，第二传动齿轮和第二主动齿轮之间设有第二链条。第二电机工作时，带动第二主动齿轮转动，使得第一链条和第一传动齿轮转动，实现传动轴和第二传动齿轮转动；第二传动齿轮转动带动第二链条和第二从动齿轮转动，第二从动齿轮带动第二转轴转动，最后实现腐蚀花篮转动。本申请的腐蚀方法包括如下步骤：步骤一：在酸槽内加入硝酸、乙酸和氢氟酸按照8:1:1(体积比)的比例进行混合形成酸液，同时在酸槽中加入氮气鼓泡，加快酸液的混合。步骤二：将超薄化后的硅片一片隔两片的方式放置在腐蚀专用片架内，超薄硅片同腐蚀专用片架一起放入腐蚀花篮中。步骤三：通过第一电机使得摆臂自动将腐蚀花篮送到酸槽内，启动第二电机，腐蚀花篮受第二电机的驱动实现在酸槽内旋转腐蚀180秒。步骤四：腐蚀时间结束后，控制第一电机，带动摆臂转动，实现腐蚀花篮自动送至水槽中冲水，水槽自动完成进水溢流排水，并将硅片表面的酸液冲洗干净。本申请通过控制摆臂转动，使得腐蚀花篮自动在酸槽和水槽中切换；通过控制腐蚀花篮旋转，使得腐蚀专用片架与待腐蚀硅片一起在酸槽内旋转腐蚀。不仅结构简单，操作方便，而且降低了超薄硅片的腐蚀碎片率，减少了硅片的损失，降低了生产成本，提高了生产效率。除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，其特征在于：包括机座和腐蚀花篮，所述机座上水平设有第一转轴，所述第一转轴上固定设有两竖向设置的摆臂，所述摆臂下方设有酸槽和水槽，所述酸槽和水槽沿水平平行设置，所述腐蚀花篮设于两摆臂之间，所述腐蚀花篮两侧分别固定第二转轴，所述第二转轴与对应侧的摆臂转动连接，受第一电机驱动使得第一转轴转动，带动两摆臂、腐蚀花篮同步转动，实现腐蚀花篮在酸槽和水槽之间任意切换；所述腐蚀花篮内设置用于放置超薄硅片的腐蚀专用片架，受第二驱动装置驱动使得第二转轴转动，带动腐蚀花篮在酸槽内旋转。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于超薄硅片的腐蚀装置，其特征在于：包括机座和腐蚀花篮，所述机座上水平设有第一转轴，所述第一转轴上固定设有两竖向设置的摆臂，所述摆臂下方设有酸槽和水槽，所述酸槽和水槽沿水平平行设置，所述腐蚀花篮设于两摆臂之间，所述腐蚀花篮两侧分别固定第二转轴，所述第二转轴与对应侧的摆臂转动连接，受第一电机驱动使得第一转轴转动，带动两摆臂、腐蚀花篮同步转动，实现腐蚀花篮在酸槽和水槽之间任意切换；所述腐蚀花篮内设置用于放置超薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：任晓塍，江浩，王旭，孙岩，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32