一种用于线性充电的PNP型三极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于线性充电的PNP型三极管，包括PNP型三极管主体，所述PNP型三极管主体的内部的一侧安装有集电区，所述PNP型三极管主体的内部的另一侧安装有发射区，所述发射区与N基区的连接处安装有发射结。本实用新型专利技术的PNP型三极管主体的底部设置有底座，且底座设置为可旋转结构，且底座与PNP型三极管主体设置为可拆分结构，在PNP型三极管主体的底部增加一个底座，可以使PNP型三极管主体与所需装置增加一定的高度，便于PNP型三极管主体的散热，通过螺丝可以将PNP型三极管主体与底座进行安装，便于安装，通过旋转可以使PNP型三极管主体进行360度转动，从而调整第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体的朝向。

A PNP type triode for linear charging

【技术实现步骤摘要】
一种用于线性充电的PNP型三极管
本技术涉及PNP型三极管
，具体为一种用于线性充电的PNP型三极管。
技术介绍
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管，也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管，晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理，对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。目前关于一种用于线性充电的PNP型三极管仍存在不足之处，例如：PNP型三极管在安装时，不便于安装和调整半导体的方向。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于线性充电的PNP型三极管，以解决上述
技术介绍
中提出的PNP型三极管在安装时，不便于安装和调整半导体的方向的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于线性充电的PNP型三极管，包括PNP型三极管主体，所述PNP型三极管主体的内部的一侧安装有集电区，所述PNP型三极管主体的内部的另一侧安装有发射区，所述PNP型三极管主体的内部的中间位置安装有N基区，所述发射区与N基区的连接处安装有发射结，所述集电区与N基区的连接处安装有集电结，所述PNP型三极管主体的一端安装有基极连接板，所述基极连接板的中间位置安装有固定孔，所述PNP型三极管主体的另一端的中间位置安装有N型半导体，所述N型半导体的一侧安装有第一P型半导体，所述N型半导体的另一侧安装有第二P型半导体，所述PNP型三极管主体的底部安装有底座，所述底座的内部的上方安装有旋转层，所述底座的内部的下方安装有底板，所述底板的中间位置安装有螺口，所述N型半导体的边角处安装有螺丝。优选的，所述底座与PNP型三极管主体通过螺丝连接，且底座设置为圆形结构。优选的，所述底板的两侧设置有滑条，且底板与底座通过滑条滑动连接。优选的，所述基极连接板与PNP型三极管主体的底部通过镶嵌连接，且基极连接板与PNP型三极管主体的连接处的边侧通过粘合连接。优选的，所述集电区、N基区和发射区与基极连接板通过电性连接，且基极连接板与第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体通过集电区、N基区和发射区电性连接。优选的，所述螺丝共设置有四个，且四个螺丝分别安装在PNP型三极管主体的上方的四个夹角的内部。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、本技术的PNP型三极管主体的底部设置有底座，且底座设置为可旋转结构，且底座与PNP型三极管主体设置为可拆分结构，在PNP型三极管主体的底部增加一个底座，可以使PNP型三极管主体与所需装置增加一定的高度，便于PNP型三极管主体的散热，通过螺丝可以将PNP型三极管主体与底座进行安装，便于安装和拆卸，通过旋转可以使PNP型三极管主体进行360度转动，从而调整第一P型半导体、N型半导体和第二P型半导体的朝向。附图说明图1为本技术的一种用于线性充电的PNP型三极管的结构示意图；图2为本技术的一种用于线性充电的PNP型三极管的侧视图；图3为本技术的PNP型三极管主体的内部结构示意图。图中：1、基极连接板；2、PNP型三极管主体；3、固定孔；4、螺丝；5、底板；6、螺口；7、第一P型半导体；8、N型半导体；9、第二P型半导体；10、底座；11、旋转层；12、集电区；13、集电结；14、N基区；15、发射结；16、发射区。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。请参阅图1-3，本技术提供的一种实施例：一种用于线性充电的PNP型三极管，包括PNP型三极管主体2，PNP型三极管主体2的内部的一侧安装有集电区12，集电区12对于电流进行收集的，PNP型三极管主体2的内部的另一侧安装有发射区16，发射区16将电流进行发射放大的，PNP型三极管主体2的内部的中间位置安装有N基区14，N基区14对电流进行饱和的，发射区16与N基区14的连接处安装有发射结15，发射结15将电流进行结合，集电区12与N基区14的连接处安装有集电结13，PNP型三极管主体2的一端安装有基极连接板1，基极连接板1将电流输送至集电区12内，基极连接板1的中间位置安装有固定孔3，固定孔3连接电流，PNP型三极管主体2的另一端的中间位置安装有N型半导体8，N型半导体8对与电流进行饱和，N型半导体8的一侧安装有第一P型半导体7，N型半导体8的另一侧安装有第二P型半导体9，PNP型三极管主体2的底部安装有底座10，底座10对PNP型三极管主体2进行固定，底座10的内部的上方安装有旋转层11，旋转层11对PNP型三极管主体2进行旋转调整方向，底座10的内部的下方安装有底板5，底板5将底座10进行安装，底板5的中间位置安装有螺口6，螺口6安装螺栓，使底板5固定，N型半导体8的边角处安装有螺丝4。进一步，底座10与PNP型三极管主体2通过螺丝4连接，且底座10设置为圆形结构，通过圆形可以节省底座10的占空面积，旋转时节省面积。进一步，底板5的两侧设置有滑条，且底板5与底座10通过滑条滑动连接，通过滑条更便于滑动将底板5进行伸展或缩入的。进一步，基极连接板1与PNP型三极管主体2的底部通过镶嵌连接，且基极连接板1与PNP型三极管主体2的连接处的边侧通过粘合连接，通过镶嵌更便于基极连接板1与PNP型三极管主体2连接固定，通过粘合可以使基极连接板1安装更牢固。进一步，集电区12、N基区14和发射区16与基极连接板1通过电性连接，且基极连接板1与第一P型半导体7、N型半导体8和第二P型半导体9通过集电区12、N基区14和发射区16电性连接，通过电性连接可以使电流放大。进一步，螺丝4共设置有四个，且四个螺丝4分别安装在PNP型三极管主体2的上方的四个夹角的内部，通过四个螺丝4可以使底座10与PNP型三极管主体2安装更牢固。工作原理：使用时，将底板5拉出伸长至所需高度，通过螺丝与螺口6镶嵌将底板5固定，并将底座10与底板5重合固定，通过螺丝4将PNP型三极管主体2固定在底座10的上方，通过旋转层11将第一P型半导体7、N型半导体8、第二P型半导体9的朝向调整至所需角度，将电流与固定孔3固定，通过基极连接板1将电流依次输送至集电区12、N基区14和发射区16，使电流流入第一P型半导体7、N型半导体8和第二P型半导体9上使电流放大即可。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于线性充电的PNP型三极管，包括PNP型三极管主体(2)，其特征在于：所述PNP型三极管主体(2)的内部的一侧安装有集电区(12)，所述PNP型三极管主体(2)的内部的另一侧安装有发射区(16)，所述PNP型三极管主体(2)的内部的中间位置安装有N基区(14)，所述发射区(16)与N基区(14)的连接处安装有发射结(15)，所述集电区(12)与N基区(14)的连接处安装有集电结(13)，所述PNP型三极管主体(2)的一端安装有基极连接板(1)，所述基极连接板(1)的中间位置安装有固定孔(3)，所述PNP型三极管主体(2)的另一端的中间位置安装有N型半导体(8)，所述N型半导体(8)的一侧安装有第一P型半导体(7)，所述N型半导体(8)的另一侧安装有第二P型半导体(9)，所述PNP型三极管主体(2)的底部安装有底座(10)，所述底座(10)的内部的上方安装有旋转层(11)，所述底座(10)的内部的下方安装有底板(5)，所述底板(5)的中间位置安装有螺口(6)，所述N型半导体(8)的边角处安装有螺丝(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于线性充电的PNP型三极管，包括PNP型三极管主体(2)，其特征在于：所述PNP型三极管主体(2)的内部的一侧安装有集电区(12)，所述PNP型三极管主体(2)的内部的另一侧安装有发射区(16)，所述PNP型三极管主体(2)的内部的中间位置安装有N基区(14)，所述发射区(16)与N基区(14)的连接处安装有发射结(15)，所述集电区(12)与N基区(14)的连接处安装有集电结(13)，所述PNP型三极管主体(2)的一端安装有基极连接板(1)，所述基极连接板(1)的中间位置安装有固定孔(3)，所述PNP型三极管主体(2)的另一端的中间位置安装有N型半导体(8)，所述N型半导体(8)的一侧安装有第一P型半导体(7)，所述N型半导体(8)的另一侧安装有第二P型半导体(9)，所述PNP型三极管主体(2)的底部安装有底座(10)，所述底座(10)的内部的上方安装有旋转层(11)，所述底座(10)的内部的下方安装有底板(5)，所述底板(5)的中间位置安装有螺口(6)，所述N型半导体(8)的边角处安装有螺丝(4)。


2.根据权利要求1所述的一种用于线性充电的PNP型三极管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，陈益忠，夏昊天，陈炜，覃立金，于世珩，毛嘉云，刘健，汤振凯，徐伟，
申请(专利权)人：江苏长晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32