本发明专利技术公开了一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括三极管主体和引脚，所述引脚与三极管主体固定连接，通过将发射区的掺杂浓度设置为最高，以便于提供足够的载流子，且为了减少载流子在基区内的复合机会，将基区的掺杂浓度设置为最低，同时为了收集边缘的载流子，将集电区的掺杂浓度设置界于发射区和基区之间，根据掺杂浓度越低，电阻率越高的原理，使得采用这样的掺杂浓度设置，使得本三级管，能够具备耐高压冲击的性能，能够在高电压下正常使用。
A production process of high pressure 2sb772p high power triode with high pressure shock resistance
【技术实现步骤摘要】
一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺
本专利技术涉及半导体
，具体为一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺。
技术介绍
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。传统的2SB772P型大功率三极管，在使用过程中，常出现因电压过高，而不能正常使用的现象，使的仪器损坏，带来损失。针对上述问题，本专利技术提供了一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括三极管主体和引脚，所述引脚与三极管主体固定连接，散热好，且耐高压冲击，从而解决了
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本专利技术供如下技术方案：一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管，包括三极管主体和引脚，所述引脚与三极管主体固定连接，所述三极管主体设置有金属加固外壳和绝缘套，所述金属加固外壳包覆在三极管主体上，所述绝缘套套装在金属加固外壳的一端；所述金属加固外壳设置有散热孔，散热孔开设在金属加固外壳的中间，并贯穿三极管主体主体；所述绝缘套采用SiO2材质制成，且设置有引脚安装孔，引脚安装孔开设三组，三组所述的引脚安装孔开设在绝缘套的侧面；所述引脚采用铜材质制成。本专利技术提供另一种技术方案：一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括如下步骤：S01：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型外延层；S02：利用光刻胶作掩膜，在N型外延层上形成槽沟；S03：去除光刻胶，形成多晶硅层；S04：采用高温氧化工艺，多晶硅层的杂质向所述N型外延层和P型衬底扩散，形成基区和集电区；S05：在所述槽沟内形成发射区；S06：在所述槽沟两端的N型外延层形成与所述基区相连的基极接触区；S07：形成分别与所述发射区、基极接触区以及集电区连接的发射极、基极以及集电极。进一步地，所述发射区的掺杂浓度最高，基区的掺杂浓度最低，集电区的掺杂浓度界于发射区和基区之间。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：1、本耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，通过在三极管主体设置金属加固外壳和采用SiO2材质制成的绝缘套，且绝缘套套装在金属加固外壳的一端，并在金属加固外壳的中间开设散热孔，且贯穿三极管主体主体，增加三极管主体的绝缘效果，根据金属导热的特性，再设置散热孔，增加散热面积，达到更好的散热效果。2、本耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，通过将发射区的掺杂浓度设置为最高，以便于提供足够的载流子，且为了减少载流子在基区内的复合机会，将基区的掺杂浓度设置为最低，同时为了收集边缘的载流子，将集电区的掺杂浓度设置界于发射区和基区之间，根据掺杂浓度越低，电阻率越高的原理，使得采用这样的掺杂浓度设置，使得本三级管，能够具备耐高压冲击的性能，能够在高电压下正常使用。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图；图2为本专利技术的制作工艺流程图；图3为本专利技术的剖面图。图中：1、三极管主体；11、金属加固外壳；111、散热孔；12、绝缘套；121、引脚安装孔；2、引脚；101、P型衬底；102、N型外延层；103、槽沟；201、集电区；202、基区；203、发射区；204、基极接触区；301、发射极；302、基极；303、集电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括三极管主体1和引脚2，引脚2与三极管主体1固定连接，三极管主体1设置有金属加固外壳11和绝缘套12，金属加固外壳11包覆在三极管主体1上，绝缘套12套装在金属加固外壳11的一端，金属加固外壳11设置有散热孔111，散热孔111开设在金属加固外壳11的中间，并贯穿三极管主体1主体，绝缘套12采用SiO2材质制成，且设置有引脚安装孔121，引脚安装孔121开设三组，三组的引脚安装孔121开设在绝缘套12的侧面，引脚2采用铜材质制成。通过在三极管主体1设置金属加固外壳11和采用SiO2材质制成的绝缘套12，且绝缘套12套装在金属加固外壳11的一端，并在金属加固外壳11的中间开设散热孔111，且贯穿三极管主体1主体，增加三极管主体1的绝缘效果，根据金属导热的特性，再设置散热孔111，增加散热面积，达到更好的散热效果。参阅图2-3，为了更好的展现耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管生产的流程，本实施例现提出一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括如下步骤：S01：提供P型衬底101，在P型衬底101上形成N型外延层102；S02：利用光刻胶作掩膜，在N型外延层102上形成槽沟103；S03：去除光刻胶，形成多晶硅层；S04：采用高温氧化工艺，多晶硅层的杂质向N型外延层102和P型衬底101扩散，形成基区202和集电区201；S05：在槽沟103内形成发射区203；S06：在槽沟103两端的N型外延层102形成与基区202相连的基极接触区204；S07：形成分别与发射区203、基极接触区204以及集电区201连接的发射极301、基极302以及集电极303。其中，发射区203的掺杂浓度最高，基区202的掺杂浓度最低，集电区201的掺杂浓度界于发射区203和基区202之间，通过将发射区203的掺杂浓度设置为最高，以便于提供足够的载流子，且为了减少载流子在基区202内的复合机会，将基区202的掺杂浓度设置为最低，同时为了收集边缘的载流子，将集电区201的掺杂浓度设置界于发射区203和基区202之间，根据掺杂浓度越低，电阻率越高的原理，使得采用这样的掺杂浓度设置，使得本三级管，能够具备耐高压冲击的性能，能够在高电压下正常使用。综上所述：本专利技术供了一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，通过在三极管主体1设置金属加固外壳11和采用SiO2材质制成的绝缘套12，且绝缘套12套装在金属加固外壳11的一端，并在金属加固外壳11的中间开设散热孔111，且贯穿三极管主体1主体，增加三极管主体1的绝缘效果，根据金属导热的特性，再设置散热孔111，增加散热面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括三极管主体(1)和引脚(2)，引脚(2)与三极管主体(1)固定连接，其特征在于：三极管主体(1)设置有金属加固外壳(11)和绝缘套(12)，所述金属加固外壳(11)包覆在三极管主体(1)上，绝缘套(12)套装在金属加固外壳(11)的一端；金属加固外壳(11)设置有散热孔(111)，散热孔(111)开设在金属加固外壳(11)的中间，并贯穿三极管主体(1)主体；绝缘套(12)采用SiO
【技术特征摘要】
1.一种耐高压冲击的高压2SB772P型大功率三极管的生产工艺，包括三极管主体(1)和引脚(2)，引脚(2)与三极管主体(1)固定连接，其特征在于：三极管主体(1)设置有金属加固外壳(11)和绝缘套(12)，所述金属加固外壳(11)包覆在三极管主体(1)上，绝缘套(12)套装在金属加固外壳(11)的一端；金属加固外壳(11)设置有散热孔(111)，散热孔(111)开设在金属加固外壳(11)的中间，并贯穿三极管主体(1)主体；绝缘套(12)采用SiO2材质制成，且设置有引脚安装孔(121)，引脚安装孔(121)开设三组，三组引脚安装孔(121)开设在绝缘套(12)的侧面；大功率三极管的生产包括如下步骤：
S01：提供P型衬底(101)，在所述P型衬底(101)上形成N型外延层(102)；
S02：利用光刻胶作掩膜，在N型外延层(102)上形成槽沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏小明，
申请(专利权)人：东莞市柏尔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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