一种BJT器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种BJT器件结构，N阱；位于N阱上的P+区；位于P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于P+区上形成BJT器件的发射极的欧姆接触；位于N阱两侧的基极；位于基极两侧的集电极。本发明专利技术的BJT器件结构由于发射极金属硅化物为不连续结构，可以显著降低流入基区的电流，从而有效的改善BJT器件的放大系数，将放大系数提高60％。

A BJT device structure

【技术实现步骤摘要】
一种BJT器件结构
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种BJT器件结构。
技术介绍
一般逻辑电路中的BJT是基于已有的离子注入条件寄生产生的，不能单独调整，所以表现出beta(放大系数)比较小，尤其是PNP，可能在1附近的。以PNP为例，其发射极处于整个晶体管的中间，边缘用阻挡块(silicideblock)环绕来减低在扩散区和STI区交界的产生复合，从而提高BJT的性能。目前CMOS在集成工艺中的典型制作流程如下：一、浅沟槽隔离工艺形成器件有源区，离子注入形成Pwell和Nwell；二、栅氧化层生长，栅极形成；栅侧壁形成；四、通过离子注入形成LDD区；五、栅极主侧墙形成；六、离子注入形成源漏区；七、金属硅化物形成欧姆接触；八、ILD沉积，平坦化，并形成接触孔；九、后段金属互联制作。但是现有技术中的BJT器件结构的放大系数一般较低，因此需要提出一种新的结构和方法来有效提高BJT器件的放大系数。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种BJT器件结构，用于解决现有技术中BJT器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BJT器件结构，其特征在于，该结构至少包括：/nN阱；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触；/n位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种BJT器件结构，其特征在于，该结构至少包括：
N阱；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触；
位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。


2.根据权利要求1所述的一种BJT器件结构，其特征在于：所述条形结构等间隔排布于所述外围框型结构内。


3.根据权利要求1所述的一种BJT器件结构，其特征在于：位于所述N阱两侧的基极由STI区与所述N阱隔离并由所述N阱引出，并且引出的N阱上设有N+区，所述N+区上设有构成所述基极的金属硅化物。


4.根据权利要求3所述的一种BJT器件结构，其特征在于：位于所述基极两侧设有由STI区与所述基极隔离的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓君，王海涛，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31