一种BJT器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种BJT器件结构，N阱；位于N阱上的P+区；位于P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于P+区上形成BJT器件的发射极的欧姆接触；位于N阱两侧的基极；位于基极两侧的集电极。本发明专利技术的BJT器件结构由于发射极金属硅化物为不连续结构，可以显著降低流入基区的电流，从而有效的改善BJT器件的放大系数，将放大系数提高60％。

A BJT device structure

【技术实现步骤摘要】
一种BJT器件结构
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种BJT器件结构。
技术介绍
一般逻辑电路中的BJT是基于已有的离子注入条件寄生产生的，不能单独调整，所以表现出beta(放大系数)比较小，尤其是PNP，可能在1附近的。以PNP为例，其发射极处于整个晶体管的中间，边缘用阻挡块(silicideblock)环绕来减低在扩散区和STI区交界的产生复合，从而提高BJT的性能。目前CMOS在集成工艺中的典型制作流程如下：一、浅沟槽隔离工艺形成器件有源区，离子注入形成Pwell和Nwell；二、栅氧化层生长，栅极形成；栅侧壁形成；四、通过离子注入形成LDD区；五、栅极主侧墙形成；六、离子注入形成源漏区；七、金属硅化物形成欧姆接触；八、ILD沉积，平坦化，并形成接触孔；九、后段金属互联制作。但是现有技术中的BJT器件结构的放大系数一般较低，因此需要提出一种新的结构和方法来有效提高BJT器件的放大系数。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种BJT器件结构，用于解决现有技术中BJT器件的放大系数低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种BJT器件结构，该结构至少包括：N阱；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触；位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。优选地，所述条形结构等间隔排布于所述外围框型结构内。优选地，位于所述N阱两侧的基极由STI区与所述N阱隔离并由所述N阱引出，并且引出的N阱上设有N+区，所述N+区上设有构成所述基极的金属硅化物。优选地，位于所述基极两侧设有由STI区与所述基极隔离的P阱，所述P阱上设有P+区，该P+区上设有构成集电极的金属硅化物。优选地，位于所述N阱上的P+区的横截面尺寸为2μm*2μm。优选地，所述BJT器件类型为PNP型。优选地，所述阻挡层为形成所述N+区和P+区之后，在所述N+区和P+区上覆盖一层氧化物，之后利用光刻、刻蚀形成所述阻挡层结构。优选地，所述阻挡层结构的形成包括利用与该阻挡层结构对应的光罩一次性曝光后将所述阻挡层结构的图案转移至所述P+区上的光阻。优选地，所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物在所述P+区上不连续，将所述BJT器件的放大系数提高60％。如上所述，本专利技术的BJT器件结构，具有以下有益效果：本专利技术的BJT器件结构由于发射极金属硅化物为不连续结构，可以显著降低流入基区的电流，从而有效的改善BJT器件的放大系数，将放大系数提高60％。附图说明图1显示为本专利技术的BJT器件剖面结构示意图；图2显示为本专利技术的BJT器件横截面结构示意图；图3显示为本专利技术的BJT器件的放大系数与电学参数Vbe关系曲线图；图4显示为本专利技术的BJT器件的基区电流与电学参数Vbe关系曲线图；图5显示为本专利技术的BJT器件的电子流密度的TCAD模拟图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术提供一种BJT器件结构，如图1所示，图1显示为本专利技术的BJT器件剖面结构示意图，该结构至少包括：N阱(N-Well)；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；本专利技术进一步地，所述条形结构等间隔排布于所述外围框型结构内。所述阻挡层结构如图2所示，图2显示为本专利技术的BJT器件横截面结构示意图，图2中的“Silicideblock”表示为所述阻挡层的结构，由图2可知，该阻挡层的外围框结构覆盖于所述N阱上的P+区的外围，在所述外围框结构内还设有与该外围框结构连接的多个条形结构，所述条形结构彼此等间隔排布。构成所述BJT器件结构的还包含：位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触。如图1所示，再进一步地，位于所述N阱两侧的基极由STI区01与所述N阱隔离并由所述N阱引出，并且引出的N阱上设有N+区，所述N+区上设有构成所述基极的金属硅化物。本专利技术再进一步地，位于所述基极两侧设有由STI区与所述基极隔离的P阱(p-well)，所述P阱上设有P+区，该P+区上设有构成集电极的金属硅化物。更进一步地，位于所述N阱上的P+区的横截面尺寸为2μm*2μm。本专利技术的所述BJT器件类型为PNP型。本专利技术的所述BJT器件结构还包括：位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。制作本专利技术的所述BJT器件结构的流程如下：一、浅沟槽隔离工艺形成器件有源区，离子注入形成Pwell(P阱)和Nwell(N阱)；二、栅氧化层生长，在所述栅氧化层上形成栅极多晶硅，因此栅极形成；三、之后形成栅侧壁；四、通过离子注入形成LDD区(用于形成MOS器件的浅离子注入区)；五、栅极主侧墙形成，即在所述栅极侧壁形成主侧墙；六、离子注入形成源漏区(包括P+区、N+区)；七、金属硅化物形成欧姆接触，本专利技术进一步地，在形成所述金属硅化物前，先形成所述阻挡层，所述阻挡层为形成所述N+区和P+区之后，在所述N+区和P+区上覆盖一层氧化物，之后利用光刻、刻蚀形成所述阻挡层结构。即在所述P+区、N+区上形成金属硅化物，其中构成所述BJT器件的发射极的金属硅化物为：位于所述N阱上的P+上的不连续金属硅化物，该不连续金属硅化物位于所述非阻挡层的区域。进一步地，所述阻挡层结构的形成包括利用与该阻挡层结构对应的光罩一次性曝光后将所述阻挡层结构的图案转移至所述P+区上的光阻。八、ILD沉积以及平坦化，并形成接触孔；其中所述ILD为层间介质层。九、后段金属互联制作。如图3和图4所示，图3显示为本专利技术的BJT器件的放大系数与电学参数Vbe关系曲线图；其中Beta表示为现有技术中BJT器件的放大系数与电学参数Vbe的关系，而Betanew表示为本专利技术的BJT器件的放大系数与电学参数Vbe的关系。图4显示为本专利技术的BJ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BJT器件结构，其特征在于，该结构至少包括：/nN阱；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触；/n位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种BJT器件结构，其特征在于，该结构至少包括：
N阱；位于所述N阱上的P+区；位于所述P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于所述P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与所述外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于所述P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于所述P+区上形成所述BJT器件的发射极的欧姆接触；
位于所述N阱两侧的基极；位于所述基极两侧的集电极。


2.根据权利要求1所述的一种BJT器件结构，其特征在于：所述条形结构等间隔排布于所述外围框型结构内。


3.根据权利要求1所述的一种BJT器件结构，其特征在于：位于所述N阱两侧的基极由STI区与所述N阱隔离并由所述N阱引出，并且引出的N阱上设有N+区，所述N+区上设有构成所述基极的金属硅化物。


4.根据权利要求3所述的一种BJT器件结构，其特征在于：位于所述基极两侧设有由STI区与所述基极隔离的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓君，王海涛，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31