一种MEMS器件结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种MEMS器件结构的制作方法，包括步骤：1）提供表面形成有微结构区、金属键合层、以及金属焊盘的第一半导体衬底，及表面具有环形凸起的第二半导体衬底；2）去除所述金属键合层及金属焊盘表面的第一金属氧化层；3）进行键合工艺；4）进行切割工艺，切割时金属焊盘表面吸附有半导体颗粒；5）氧化半导体颗粒氧化形成氧化颗粒，并于金属焊盘表面形成第二金属氧化层；6）酸性化学腐蚀去除氧化颗粒；7）碱性化学腐蚀去除第二金属氧化层。本发明专利技术通过氧化、酸性腐蚀及碱性腐蚀工艺去除了金属焊盘吸附的半导体颗粒，在不影响MEMS器件性能和铝焊盘性能的情况下，有效地避免了金属焊盘容易被腐蚀的缺陷。本发明专利技术工艺简单，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件结构的制作方法
本专利技术属于微机电系统制造领域，特别是涉及一种MEMS器件结构的制作方法。
技术介绍
微机电系统（MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem）是一种先进的制造技术平台。它是以半导体制造技术为基础发展起来的。MEMS技术采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的现有技术和材料，因此从制造技术本身来讲，MEMS中基本的制造技术是成熟的。但MEMS更侧重于超精密机械加工，并要涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面也扩大到微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理学的各分支。微机电系统是微米大小的机械系统，其中也包括不同形状的三维平板印刷产生的系统。这些系统的大小一般在微米到毫米之间。在这个大小范围中日常的物理经验往往不适用。比如由于微机电系统的面积对体积比比一般日常生活中的机械系统要大得多，其表面现象如静电、润湿等比体积现象如惯性或热容量等要重要。它们一般是由类似于生产半导体的技术如表面微加工、体型微加工等技术制造的。其中包括更改的硅加工方法如压延、电镀、湿蚀刻、干蚀刻、电火花加工等等。微机电系统是指集微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）提供第一半导体衬底及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底表面形成有微结构区、包围于所述微结构区的金属键合层、以及位于所述金属键合层外围的金属焊盘，所述第二半导体衬底表面具有可与所述金属键合层形成密封配合的环形凸起；2）采用预清洗工艺去除所述金属键合层及金属焊盘表面的第一金属氧化层；3）藉由所述金属键合层及环形凸起键合所述第一半导体衬底及第二半导体衬底；4）对所述第二半导体衬底进行切割工艺，以去除所述环形凸起外围的半导体材料，切割时所述金属焊盘表面吸附有半导体颗粒；5）采用氧化工艺使所述半导体颗粒氧化形成氧化颗粒，并使所述金属焊盘表面氧化形...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）提供第一半导体衬底及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底表面形成有微结构区、包围于所述微结构区的金属键合层、以及位于所述金属键合层外围的金属焊盘，所述第二半导体衬底表面具有可与所述金属键合层形成密封配合的环形凸起；2）采用预清洗工艺去除所述金属键合层及金属焊盘表面的第一金属氧化层；3）藉由所述金属键合层及环形凸起键合所述第一半导体衬底及第二半导体衬底；4）对所述第二半导体衬底进行切割工艺，以去除所述环形凸起外围的半导体材料，切割时所述金属焊盘表面吸附有半导体颗粒；5）采用氧化工艺使所述半导体颗粒氧化形成氧化颗粒，并使所述金属焊盘表面氧化形成第二金属氧化层；6）采用酸性化学腐蚀工艺去除所述氧化颗粒；7）采用碱性化学腐蚀工艺去除所述第二金属氧化层。2.根据权利要求1所述的MEMS器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一半导体衬底及第二半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31