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本发明提供一种BJT器件结构，N阱；位于N阱上的P+区；位于P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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