【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种硅片背面喷砂加工用托垫
技术介绍
硅片是现代超大規模集成电路的主要衬底材料,一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、喷砂、背封、抛光、清洗等エ艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片喷砂是硅器件衬底加工过程中ー个重要的エ序,喷砂可以使硅片背面形成软损伤从而吸除硅片正面的杂质,使硅片正面形成一层洁净区,对集成电路制备性能有着极为重要的影响。硅片在喷砂过程中要用到托垫,作为硅片运行的载体,不同尺寸的硅片需要逐个更换相应尺寸的托垫载体,増加了停机时间;由于托垫并排放置,降低了有效喷砂区域的使用,降低了生产效率。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种硅片背面喷砂加工用托垫,采用该托垫可減少更换托盘的停机时间,增大喷砂的加工片数以增大产能。为达到上述技术目的,本专利技术采用以下几种方案这种硅片背面喷砂加工托垫,它包括垫体,垫体上开有多个托槽,托槽的间隙设有固定用螺丝孔。垫体上开有的多个托槽为多行或多列或交错排列。本技术优点是改变传统的更换方式,由原来的逐个更换,改变为整体性更换,并且固定方式简化为螺丝固定,減少了更换时间。充分考虑到有效地喷砂面积,改变托垫上托槽的排列位置,从而增加单位时间内喷砂的数量,提高了生产效率;減少换托时间,提闻生广效率提闻广能的一种新式托塾。附图说明图I:旧式托盘安装示意图图2 :托垫装卸示意图图3:托垫侧视图图4:托垫的俯视图图I、图2、图3、图4中,I为传动皮带,2为旧式托盘,3为固定螺丝,4为垫体,5为托槽,6为螺丝孔,L为托体长度,H为托体宽度,b为有效喷砂宽度。具体实施方式如图2、图3、图4所示,本技术提供的硅片背面喷砂加 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片背面喷砂加工托垫,其特征在干它包括垫体(4),垫体上开有多个托槽(5),托槽的间隙设有固定用螺丝孔...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘佐星,赵伟,
申请(专利权)人:有研半导体材料股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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