半导体加工用片制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种半导体加工用粘合片，所述半导体加工用粘合片可以确保半导体装置制造用的工艺中的半导体加工用片的辨识性，同时在半导体装置制造用的工艺中的半导体加工用粘合片用的薄膜的制膜工序中，可以将起因于配混颜料的模唇等的内面污染及由其引起的模唇等的开口部的部分堵塞等抑制在最小限度。所述半导体加工用粘合片具备基材层，该基材层包含含有颜料的塑料片作为芯层，所述基材层在所述芯层的表里主面的最外层配置有所述不含颜料的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体加工用片，更详细而言，涉及一种包含含有颜料的塑料片的半导体加工用片。
技术介绍
一直以来，对于半导体装置的制造方法中所用的半导体装置制造用粘合片而言， 为了在贴合于半导体晶片上时赋予辨识性，添加颜料(例如，专利文献1)。但是，粘合片中所含的颜料有时移动或附着到粘合片的最外层，因此，存在污染制造设备、制造装置内部、例如薄膜制膜用模唇等的内面的担心。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-19U96号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种半导体加工用粘合片，其在半导体装置制造用工艺中的半导体加工用粘合片用的薄膜的制膜工序中，可以将成为片厚度精度变差的原因的、由配混的颜料引起的模唇等的内面污染及由此引起的模唇等的开口部的部分堵塞等抑制在最小限度。用于解决问题的方案本专利技术的半导体加工用片的特征在于，具备基材层，该基材层包含含有颜料的塑料片作为芯层，在所述芯层的表里主面的最外层配置有不含有所述颜料的层。对于这样的半导体加工用片而言，优选配置于芯层的一个主面的最外层的不含颜料的层由粘合剂层形成。优选至少一个主面的最外层由与芯层相同的塑料材料形成。优选用作晶片背面磨削用保护片。专利技术的效果根据本专利技术，可以确保半导体装置制造用工艺中的半导体加工用片的辨识性，同时可以将起因于薄膜中所含的颜料的薄膜制膜用模具的内面污染抑制在最小限度。从而减少颜料污染引起的模唇开口部的部分堵塞，其结果，可以有效防止起因于颜料附着的片厚度精度的变差。具体实施例方式本专利技术的半导体加工用片至少包含基材层。该基材层包含含有颜料的塑料片作为芯层，并在该芯层的表里主面的最外层配置有不含颜料的层。在此，半导体加工用片是指半导体工艺中的各种加工所使用的片。通过将该半导体加工用片贴合在由硅、SiC、GaN, GaAs等形成的晶片等被加工物上，可以作为保护片(切割时、CMP时、蚀刻时等)或切割片用于表里面研磨用片等的各种工艺。优选的是，本专利技术的半导体加工用片不仅具备基材层，而且为了固定于晶片、制造装置等，具备1层或2层以上的粘合剂层。另外，为了赋予各种功能，除粘合剂层以外，也可以具备1层以上的各种层。本专利技术的半导体加工用片特别是在用作晶片中的直接贴合在电路上使用的晶片背面磨削用保护片等、电路面等的保护片的情况下，可以有效地防止颜料污染。基材层中的芯层赋予半导体加工用片自立性，例如可以利用由以下的物质制成的塑料片来形成，所述物质为聚乙烯及聚丙烯等聚烯烃(具体而言为低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、非拉伸聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物等)、聚氨酯、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、缩醛树脂、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、氟树脂、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物等含橡胶成分的聚合物等；用玻璃纤维或塑料制无纺纤维强化的树脂等。在此，“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”两者。芯层通常含有各种添加剂而成形。因此，在芯层中包含颜料。另外，颜料为不溶于水、油等的白色或有色的粉体，包含有机颜料及无机颜料两者。通常可用作印刷油墨、涂料及塑料、橡胶等的着色剂，还包含可用作增量剂、展色剂，或者具有用于调节体质(着色力、 色相、电绝缘性等)的功能的物质。颜料的组成自身没有特别限定，通常含有金属元素。这样的金属元素采用化合物、络合物或离子等各种形式，特别是络合物容易引起颜料所造成的不期望的污染。作为颜料中所含的金属元素，例如可例示铜、铁、钛、镁、锰、铝、钴、锌、 银、金、镍、铬、锡、钯等。芯层的厚度没有特别限定，可以适宜调整以具备可作为半导体加工用片的基材层起作用的程度的强度等。例如适宜为10 400 μ m左右，优选为30 250 μ m左右。不含颜料的层配置于芯层的表里主面两者的最外层。即，本专利技术的半导体加工用片在与晶片表面、制造设备、制造装置内部等直接接触的面的最外层上不配置可造成颜料污染、特别是来源于颜料的金属元素(特别是络合物等)的污染的层。这里的表里主面是指具有厚度的片状的芯层二维扩张的表面及里面。如上所述，通过在芯层的表里主面的最外层配置不含颜料的层，不含颜料的层在薄膜的制膜工序中可以将起因于配混的颜料的制膜装置等的内面污染及部分堵塞等(例如，模唇等的内面污染及由此引起的模唇等开口部的部分堵塞等)抑制在最小限度，进而， 可以防止或阻断芯层中的颜料引起的基材层表面的污染。为此，不含颜料的层实质上不含有颜料。而且，为了有效地实现这样的功能，不仅谋求芯层的材料及厚度，而且谋求不含颜料的层的材料、厚度及位置、后述的粘合剂层的材料及厚度等各种主要因素的平衡。在不含颜料的层中不含有颜料是指在用作不含颜料的层的原料的全部材料中不包含颜料(例如，金属元素)。另外，还指在被制成半导体加工用片时，其表面的源自颜料的污染或者颜料在其表面的附着实质上可被阻止或几乎完全被阻止。作为判断实质上不存在或基本不存在源自颜料的污染或附着的方法，如上所述， 可以举出目视判断制造设备、制造装置内部例如薄膜制膜用模唇等内面自身的方法。另外，可以举出通过目视判断通过薄膜制膜用模唇等进行制膜的薄膜的表面有无条纹(streak)等的方法。进而，还可以举出在将半导体加工用片应用于半导体被加工对象物，剥离后，通过ICP-MS(电感耦合等离子体质谱分析法)来测定从不含颜料的层的最外面向半导体被加工对象物(例如，硅晶片的镜面)转印的转印物(例如，金属)的情况下，半导体被加工对象物表面上的金属被测定为l.OXKTatoms/cm2以下。另外，根据测定装置的精度不同，适宜为lXKTatoms/cm2左右以下，优选为测定限以下。在此，ICP-MS的测定方法可利用通常所使用的装置、顺序、条件等中。具体而言，(1)首先，将半导体加工用片贴合于半导体被加工对象物(例如，晶片100mm厚度)，自片上使恒定载荷橡胶辊(例如，2kg)往复一次，然后，将片剥离。(2)接着，用适当的蚀刻剂例如氢氟酸对半导体被加工对象物的贴合/剥离了片的表面的氧化膜全部进行蚀刻。将通过蚀刻而得到的液体全部采集到蒸发皿中，进行加热·蒸发干固，将残渣溶解在酸中，得到测定供试液。(3)接着，利用ICP-MS测定所得的测定供试液。(4)用测定得到的元素质量(ng)除以例如Cu(或上述金属元素)的原子量，换算为摩尔数，乘以阿伏伽德罗常数，转换为原子数。通过用该值除以经蚀刻的半导体被加工对象物面积(例如，78. 5cm2)，可以换算为每单位面积的原子数(atoms/cm2)。另外，作为其它的判断方法，除ICP-MS以外，也可以使用全反射荧光X射线等。在这些方法中，适宜的是，金属的测定值分别被检测为lX1012atOmS/Cm2左右以下，优选为lXlOnatoms/cm2左右以下，更优选被测定为检测限以下。进而，作为其它的判断方法，也可以使用X射线光电子分光法。这种情况下，优选的是，在使用ULVAC-PHI公司制的model5400测定以下所述的半导体被加工对象物表面的有机物转印量时，被测定为5at0miC%以上且Ieatomic^以下，所述半导体被加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边敬介，森本政和，森淳基，夏目雅好，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：