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本发明涉及一种IC级硅片边缘加工方法，该方法是先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；...
该专利属于万向硅峰电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万向硅峰电子股份有限公司授权不得商用。

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