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本发明可提高半导体器件的制造成品率。在半导体晶片(SW)上形成被加工膜(1)，在被加工膜(1)上形成抗反射膜(2)，在抗反射膜(2)上形成抗蚀层(3)后，对抗蚀层(3)进行浸液曝光、显影及冲洗处理，从而形成抗蚀图(3a)。随后，将抗蚀图(3...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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