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本发明提供了一种SiGe外延层的外延生长方法，该方法应用于PMOS的源、漏极区域的SiGe外延层填充，通过向反应腔中同时通入含Ge元素的反应气体和含碳气体，在硅衬底表面的源、漏极区域表面选择性外延生长含碳的SiGe外延层，该方法在保证SiG...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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