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本发明涉及一种功率ＶＤＭＯＳ管用硅外延片的制造方法，首先衬底片的选用优为重要，选用的衬底片既要符合器件的要求，也要符合外延的要求。其技术工艺在于：选择合适的气腐流量和气腐时间，减小气腐杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层...
该专利属于南京国盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国盛电子有限公司授权不得商用。

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