PIN开关管用硅外延片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种ＰＩＮ开关管用硅外延片，它包括衬底和外延层，且外延层的浓度低于１０↑［１３］ｃｍ↑［－３］。本实用新型专利技术的硅外延片在其后的器件高温工艺中阻挡衬底的杂质向外延层扩散，最大限度的减少汽相自掺杂的影响，以减少过度区宽度，提高器件的击穿电压和降低饱和压降。同时在生长高阻薄层外延层时，可大大提高外延层电阻率和减少过度区宽度，特别对ＰＩＮ开关二极管用，可降低插损，提高开关速度。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明 一、
本技术涉及一种硅外延片，具体而言，是一种PIN开关管用硅外延片。二
技术介绍
众所周知，在N+衬底上生长极低浓度的外延层是极其困难的。目前国际上一般采用低压低温外延生长和等离子体增强化学汽相淀积，但这种方法设备复杂、价格昂贵，在一定条件下限制其使用范围，而且低压淀积时生长速率也太慢，不适用于5-8μ厚外延层的生长。硅外延是这样一种技术，其生长的原子以单晶方式有序地排列在衬底表面且生长层的晶体结构与衬底完全相同。应用这项技术的最重要的原因是外延层中的杂质易与控制。外延层的掺杂可以是N型、P型并与衬底掺杂无关。而且可在重掺杂衬底上生长轻掺杂外延层。理想的外延层与衬底的界面是陡峭的。然而在实际生长条件下，有二种重要因素影响到过度区的分布情况一是杂质原子由高浓度衬底向外延层的固态扩散，其最终的杂质分布为余误差函数分布Nepi(x)=12N0erfcx2Dt]]>式中N0是衬底浓度，Nepi是外延层浓度，衬底表面取x＝0，D是杂质扩散系数，t外延生长时间。二是外延生长时的汽相自掺杂，汽相自掺杂对过度区有几方面的影响(a)杂质从衬底背面和衬底边缘的蒸发；(b)杂质从衬底正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＰＩＮ开关管用硅外延片，其特征在于：它包括衬底（１）与外延层（２）。

【技术特征摘要】
1.一种PIN开关管用硅外延片，其特征在于它包括衬底(1)与外延层(2)。2.根据权利要求1所述的硅外延片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马林宝，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]