【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种低表面孔隙低介电常数薄膜材料制备方法，其包括如下步骤：提供硅衬底，对其清洗，并置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，并送入电子回旋共振等离子体设备中；调节控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将沉积得到的多孔SiCOH薄膜置于工位上，进行等离子体表面封孔处理。本专利技术的制备方法制备过程连续性好，避免了薄膜材料暴露于大气中受到污染。由本专利技术的制备方法制备的低表面孔隙低介电常数薄膜材料受到的轰击较小，质量高。同时，上述材料表面孔隙减少，降低了铜在低介电常数薄膜表面的扩散，有效改善了铜/低介电常数材料集成系统的电学性能。【专利说明】
本专利技术涉及集成电路
，具体地涉及一种。
技术介绍
随着大规模集成电路集成度的提高，特征线宽尺度减小到几十纳米，内部连接层的RC延迟成为影响器件性能的重要问题，会导致信号传输延迟，功耗的增加以及金属内部连接层之间串扰的增加。为了解决这些问题，必须用低介电常数材料和低电阻率的金属内部连接层来代替Si02/Al结构。低介...
【技术保护点】
一种低表面孔隙低介电常数薄膜材料制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将清洗过的硅衬底置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，以惰性气体为载气将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，并在所述硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将沉积得到的多孔SiCOH薄膜置于工位上，向电子回旋共振等离子体设备中通入氧气，调节所述控制器，使氧气形成等离子体，沿氧等离子体的运动方向，在下游的氧等离子体与SiCOH薄膜表面...
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。