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本发明公开了一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长第一、第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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