【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体器件的制作并且更具体地涉及用于半导体器件的测试结构和方法。
技术介绍
一般通过切割工艺从晶片单一化芯片。切割工艺可能在单一化的芯片中产生或者引起管芯裂缝或者碎屑。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，公开一种半导体器件。该半导体器件包括在芯片内的裂缝·检测线，裂缝检测线包围芯片的内区域，其中裂缝检测线包括第一端子和第二端子。该半导体器件还包括测试电路，连接到第一端子和第二端子，测试电路被配置成在裂缝检测线之上测量信号；以及输出端子，输出端子连接到测试电路并且配置成提供测量的信号。根据本专利技术的实施例，公开一种制造半导体器件的方法。该方法包括形成包围集成电路的裂缝检测线；在集成电路中形成测试电路，测试电路连接到裂缝检测线；并且形成输出端子，输出端子连接到测试电路。根据本专利技术的实施例，公开一种用于测试半导体器件的方法。该方法包括提供具有裂缝检测线的半导体芯片；在裂缝检测线之上测量模拟信号；并且从输出端子读取模拟信号。根据本专利技术的实施例，公开一种半导体器件，该半导体器件包括在芯片内的裂缝检测线，其中裂缝检测线布置于包围芯片的内区域的裂缝...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：在芯片内的裂缝检测线，所述裂缝检测线包围所述芯片的内区域，其中所述裂缝检测线包括第一端子和第二端子；测试电路，连接到所述第一端子和所述第二端子，所述测试电路被配置成在所述裂缝检测线之上测量信号；以及输出端子，所述输出端子连接到所述测试电路并且配置成提供测量的信号。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：E富格，B高赫，A迈耶，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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