半导体结构及其制作方法以及制作半导体布局的方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构及其制作方法以及制作半导体布局的方法，该方法首先提供第一布局与第二布局，该第一布局包括有多个布线图案，而该第二布局包括有多个连接图案。接下来于该第一布局的这些布线图案中定义多个第一待切割图案，这些第一待切割图案分别与这些连接图案重叠。而在定义出这些第一待切割图案后，于该第一待切割图案与该连接图案的重叠处切分这些第一待切割图案，以分解该第一布局形成第三布局与第四布局。最后，分别输出该第三布局与该第四布局至第一光掩模与第二光掩模上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别涉及一种采用双重图案化技术(double patterning technique,DPT)的制作半导体布局的方法及半导体结构。
技术介绍
集成电路(integrated circuit, IC)是通过形成于基底或不同膜层中的图案化特征(feature)构成的元件装置以及内连线结构所建构。在IC的制作过程中，光刻(photolithography)工艺为不可或缺的技术,其主要是将所设计的图案,例如注入区域布局图案或电路布局图案等形成于一个或多个光掩模上，然后再通过曝光(exposure)与显影(development)步骤将光掩模上的图案转移至膜层上的光致抗蚀剂层内，以将此复杂的 布局图案精确地转移至半导体芯片上。伴随着后续的离子注入工艺、蚀刻工艺以及沉积工艺等半导体工艺步骤，可完成复杂的IC结构。而随着半导体产业的微型化发展以及半导体制作技术的进步，已知作为广用技术的曝光技术已逐渐接近其极限。因此，可以在现有的基础设施上加大最小图案距离(高达二倍)的双重图案化技术(DPT)几乎已成为32纳米(nanometer, nm)与22nm线宽技术中最有可能的解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：布线图案，该布线图案包括至少一第一线段与一第二线段，且至少部分该第一线段与部分该第二线段于邻接区域内彼此邻接；以及连接图案，设置于该邻接区域内，且电性连接该第一线段与该第二线段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄家纬，陈明瑞，黄俊宪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：