用于IC钝化结构的均匀度控制制造技术

用于IC钝化结构的均匀度控制。本发明专利技术涉及半导体器件。半导体器件包括包含互连结构的晶片。互连结构包括多个通孔和多个互连线。半导体器件包括设置在互连结构之上的第一导电焊盘。第一导电焊盘电连接至互连结构。半导体器件包括设置在互连结构之上的多个第二导电焊盘。半导体器件包括设置在第一和第二导电焊盘之上并且至少部分地密封第一和第二导电焊盘的钝化层。半导体器件包括电连接至第一导电焊盘但是不与第二导电焊盘的导电端子电连接的导电端子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速成长。IC材料和设计方面的技术进步产生了几代1C，其中，每代都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，对于将实现的这些进步，需要IC处理和制造的类似发展。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，同时几何尺寸(即，使用制造处理可以创建的最小部件)减小。IC器件的制造通常涉及钝化处理，其中形成钝化结构以保护IC器件内部的电子部件不受湿气、灰尘、和其他污染物粒子的影响。后钝化互连(PPI)器件可以用于在IC器 件内的那些电子部件和外部器件之间建立电连接。然而，传统IC器件通常PPI分布均匀度很差。换句话说，PPI器件在IC器件的一些区域中可能具有很高的种群密度，但是在IC器件的其他区域中具有较低的种群密度。PPI均匀度的不足可能不利地影响IC器件的电气性能和封装可靠性。从而，虽然现有IC钝化结构通常满足它们想要的目的，但是它们不能完全满足每个方面。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种半导体器件，包括晶片，包括互连结构，所述互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：晶片，包括互连结构，所述互连结构包括多个通孔和多个互连线；第一导电焊盘，设置在所述互连结构之上，所述第一导电焊盘电连接至所述互连结构；多个第二导电焊盘，设置在所述互连结构之上；钝化层，设置在所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘之上并且至少部分地密封所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘；以及导电端子，电连接至所述第一导电焊盘但是不与所述第二导电焊盘电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，于宗源，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：