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本发明提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90?的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明的测...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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