一种数模混合高密度外壳制造技术

本发明专利技术是数模混合高密度外壳及制备方法，其结构包括可伐引线1、可伐焊接环2、陶瓷件3、可伐热沉4；其中镀镍后的可伐引线1与可伐热沉4一并通过Ag-Cu焊料在800℃高温条件下焊接在陶瓷件3的背面，可伐焊接环2在同样的条件下焊接在陶瓷3正面的金属图形上。优点：射频通道的设计采用共面波导传输结构，且在射频通道的上、下分别设计接地层，以增加与同层、相邻层间信号的隔离度；高速射频信号通道的设计采用差分走线的方式，差分信号在某一层单独布线，且差模阻抗设计值为100欧姆，且有较强的抗干扰能力；设计单独的电源层，防止其受高频信号的影响，降低电源纹波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及的是一种用于封装数模混合多芯片的数模混合高密度外壳。
技术介绍
陶瓷四边扁平封装(CQFP)作为一种常见的封装形式，一直以来都有着广泛的应用。然而现有的CQFP类外壳工作频率多在GHz以下，没有专门用于传输高频信号的通道，所有引脚均为统一的低频设计，且引脚之间没有良好的隔离，无法用于高频芯片的封装。另夕卜，多芯片封装要求一款外壳同时拥有封装高频模拟信号、高速数字信号的功能，而现有的CQFP类外壳很难达到这些要求。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种数模混合高密度外壳，能够根据所需要封装的芯片的结构，其目的旨在克服现有技术所存在的上述缺陷，采用分别设计高频信号通道和高速数字信号通道，满足数模混合多芯片封装的要求。本专利技术的技术解决方案:数模混合高密度外壳，其结构包括可伐引线1、可伐焊接环2、陶瓷件3、可伐热沉4 ;其中镀镍后的可伐引线1与可伐热沉4 一并通过Ag-Cu焊料在800°C高温条件下焊接在陶瓷件3的背面，可伐焊接环2在同样的条件下焊接在陶瓷3正面的金属图形上。其制备方法，包括如下步骤: 1)采用机加工法制备可伐引线1、可伐焊接环2以及可伐热沉4本文档来自技高网...

【技术保护点】
数模混合高密度外壳，其特征是包括可伐引线、可伐焊接环、陶瓷件、可伐热沉；其中镀镍后的可伐引线与可伐热沉一并通过Ag‑Cu焊料在800℃高温条件下焊接在陶瓷件的背面，可伐焊接环在同样的条件下焊接在陶瓷正面的金属图形上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李永彬，曹坤，戴洲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32