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本申请提供了一种晶体管版图结构及芯片版图结构，所述晶体管版图结构包括栅极区、源极区、漏极区和衬底区，栅极区、源极区和漏极区位于衬底区上，其中：所述栅极区呈环状，将所述源极区和所述漏极区隔开；所述漏极区位于所述栅极区的环状结构形成的内部空间，...
该专利属于成都国微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都国微电子有限公司授权不得商用。

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