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本申请提供了一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。由于在上述版图结构下的晶体管，其主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。所述浅阱的导热能力较强，可以将晶...
该专利属于成都国微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都国微电子有限公司授权不得商用。

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