耗尽型VDMOS制造技术

本实用新型专利技术公开了提供一种耗尽型VDMOS，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第一掺杂类型的离子注入沟道区，其中，所述沟道区的长度范围为1μm~3μm，所述沟道区相互分开。本实用新型专利技术所提供的耗尽型VDMOS的沟道区是通过采用掩膜层的离子注入形成，因其精确的沟道区的结构以及高质量的栅极氧化层都能够保证更高的性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造
，特别涉及一种耗尽型VDM0S。
技术介绍
垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管(vertical double-diffusion MOS,VDMOS),因其兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS主要用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。VDMOS分为增强型VDMOS和耗尽型VDMOS。对于耗尽型VDM0S，因为在源漏极的氧化层内掺入了大量离子，即使在栅压VGS=O时，在氧化层的掺杂离子的作用下，衬底表层中会感应出与衬底掺杂类型相反多数载流子 形成反型层，即源-漏之间存在沟道区，只要在源-漏间加正向电压，就能产生漏极电流；当加上栅压VGS时，会使多数载流子流出沟道区，反型层变窄沟道区电阻变大，当栅压VGS增大到一定值时，反型层消失，沟道区被夹断(耗尽)，耗尽型VDMOS会关断。以N沟耗尽型VDMOS为例，在栅压VGS=O时，漏源之间的沟道区已经存在，所以只要在源漏极之间加上电压VDS，源漏极就有电流ID流通。如果增加栅压VGS，栅极与衬底之间的电场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耗尽型VDMOS，其特征在于，包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第一掺杂类型的离子注入沟道区，其中，所述沟道区的长度范围为1μm～3μm，所述沟道区相互分开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵金波，王维建，曹俊，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：实用新型
国别省市：