一种可调光的LED恒流驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种可调光的LED恒流驱动电路，LED驱动电路技术领域。该驱动电路包括可控硅调光器、整流桥以及（M+1）个N沟道耗尽型MOS管，被驱动的LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED，其中，第一耗尽型MOS管用于在整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为可控硅调光器提供维持电流并使LED光源部分短路；第X耗尽型MOS管用于在整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第1组LED至第（X-1）组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第1组LED至第（X-1）组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路，2≤X≤（M+1），M为大于或等于2的整数。该驱动电路结构简单、成本低，并且发光效率高，可以实现恒流、可调光驱动。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种可调光的LED恒流驱动电路，LED驱动电路
。该驱动电路包括可控硅调光器、整流桥以及（M+1）个N沟道耗尽型MOS管，被驱动的LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED，其中，第一耗尽型MOS管用于在整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为可控硅调光器提供维持电流并使LED光源部分短路；第X耗尽型MOS管用于在整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第1组LED至第（X-1）组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第1组LED至第（X-1）组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路，2≤X≤（M+1），M为大于或等于2的整数。该驱动电路结构简单、成本低，并且发光效率高，可以实现恒流、可调光驱动。【专利说明】—种可调光的LED恒流驱动电路
本专利技术属于LED (Light-Emitting D1de,发光二极管)驱动电路
,涉及可调光的LED恒流驱动电路。
技术介绍
随着LED照明技术的不断发展与普及，人们不断追求高发光效率、低成本的LED照明装置，并且，为LED提供电源的驱动电路成为技术的焦点之一。 一般地，需要对LED电光源部分进行可调光控制，通常采用的调光装置按其原理可以分为幅值调光(例如可变电阻调光、自耦调压器调光)和相位调光两种，其中，采用相位调光原理的可控硅调光器被广泛应用于LED的驱动电路，以实现其调光控制。 现有技术中，为兼容可控硅调光控制器，驱动电路中均采用各类IC控制的开关电源的电路方案，通常地，其电路复杂、成本较高(由于采用了 1C)，发光效率也相对较低；并且，IC控制的开关电压工作在高频状态，因而导致驱动电路的电磁兼容性差。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于，实现对LED光源部分的恒流驱动并兼容可控硅调光器的调光控制。 本专利技术的又一目的在于，简化LED驱动电路的电路结构并减低其成本。 本专利技术的还一目的在于，提高LED光源部分的发光效率。 为实现以上目的或者其他目的，本专利技术提供一种可调光的LED恒流驱动电路，其用于驱动控制包括多个串联耦接的LED的LED光源部分，所述LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED，M为大于或等于2的整数；所述LED恒流驱动电路包括:可控娃调光器；整流桥，其正向输出端耦接于第一组LED输入端，其负向输出端耦接于第M组LED的输出端；以及(M+1)个N沟道耗尽型MOS管，其包括第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管；其中，(M+1)个N沟道耗尽型MOS管的栅极与所述整流桥模块的负向输出端耦接；第一耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为所述可控硅调光器提供维持电流并使所述LED光源部分短路；第X耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第I组LED至第(X-1)组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第I组LED至第(X-1)组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路，2彡X彡(M+1)；所述第一恒流值小于第二恒流值。 按照本专利技术一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述N沟道耗尽型MOS管的漏极与所述LED光源部分耦接，所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管的源极分别串联设置有若干用于提升其源极相对其栅极的电位的升压元件，以使所述第X耗尽型MOS管导通时，所述第一耗尽型MOS管至第(X-1)耗尽型MOS管截止。 具体地，所述升压元件可以为第一二极管，所述第一二极管的正极与所述N沟道耗尽型MOS管的源端耦接，所述第一二极管的负极与所述整流桥模块的负向输出端耦接。 具体地，所述第一耗尽型MOS管至所述第M耗尽型MOS管分别所对应设置的升压元件的数量依次减少。 按照本专利技术又一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一恒流二极管以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。 进一步地，所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二恒流二极管以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。 按照本专利技术还一实施例的LED恒流驱动电路，其中，所述第一耗尽型MOS管的源极串联地耦接于第一限流电阻以使所述第一耗尽型MOS管导通时以所述第一恒流值工作。 进一步地，所述第X耗尽型MOS管的源极串联地耦接第二限流电阻以使所述第X耗尽型MOS管导通时以所述第二恒流值工作。 在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管为型号相同的N沟道耗尽型MOS管，并且具有相同的阈值电压。 在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一耗尽型MOS管至第(M+1)耗尽型MOS管的栅极分别通过第一电阻至第(M+1)电阻与所述整流桥模块的负向输出端耦接。 在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，所述第一组LED至第M组LED中的每组LED分别与一滤波电容并联。 在之前所述任一实施例的LED恒流驱动电路中，优选地，每个所述滤波电容对应设置一第二二极管，以防止所述滤波电容反冲放电。 具体地，所述光源部分的多个LED可以为高压LED。 本专利技术的技术效果是，该LED恒流驱动电路中，可以根据电源电压的大小对应驱动相应部分的LED工作，发光效率大大提高，并且实现恒流驱动。同时，电路结构简单，成本低，良好地实现了与可控硅调光器的兼容。而且，由于工作在低频状态，电磁兼容性好。 【专利附图】【附图说明】 从结合附图的以下详细说明中，将会使本专利技术的上述和其他目的及优点更加完整清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。 图1是按照本专利技术一实施例的可调光的LED恒流驱动电路的示意图。 图2是整流桥输出的电源的示意性波形图。 图3是按照本专利技术又一实施例的可调光的LED恒流驱动电路的示意图。 【具体实施方式】 下面介绍的是本专利技术的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本专利技术的基本了解，并不旨在确认本专利技术的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。容易理解，根据本专利技术的技术方案，在不变更本专利技术的实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其他实现方式。因此，以下【具体实施方式】以及附图仅是对本专利技术的技术方案的示例性说明，而不应当视为本专利技术的全部或者视为对本专利技术技术方案的限定或限制。 下面的描述中，为描述的清楚和简明，并没有对图中所示的所有部件进行逐个详细描述。附图中示出了本领域普通技术人员完全能够实现本专利技术的公开内容。对于本领域技术人员来说，许多部件的操作或工作都是熟悉而且明显的。 将理解，当据称将部件“连接”或“耦接”到另一个部件时，它可以直接连接或直接耦接到另一个部件或可以存在中间部件。相反，当据称将部件“直接耦接”或“直接连接”到另一个部件时，则不存在中间部件。 图1所示为按照本专利技术一实施例的可调光的LED恒流驱动电路的示意图。在该实施例中，LED恒流驱动电路10用于为LED光源部分13提供电源以驱动控制其工作。在该实施例中，LED光源部分13可以但不限于由5个LED依次串联连接形成，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调光的LED恒流驱动电路，其用于驱动控制包括多个串联耦接的LED的LED光源部分，其特征在于，所述LED光源部分被划分为依次串联耦接的第一组LED至第M组LED， M为大于或等于2的整数；所述LED恒流驱动电路包括：可控硅调光器；整流桥，其正向输出端耦接于第一组LED输入端，其负向输出端耦接于第M组LED的输出端；以及（M+1）个N沟道耗尽型MOS管，其包括第一耗尽型MOS管至第（M+1）耗尽型MOS管；其中，（M+1）个N沟道耗尽型MOS管的栅极与所述整流桥模块的负向输出端耦接；第一耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压低于第一组LED的工作电压时以第一恒流值为所述可控硅调光器提供维持电流并使所述LED光源部分短路；第X耗尽型MOS管用于在所述整流桥的正向输出端的输出电压大于或等于第1组LED至第（X‑1）组LED的工作电压时以第二恒流值驱动第1组LED至第（X‑1）组LED工作并使第X组LED至第M组LED短路，2≤X≤（M+1）；所述第一恒流值小于第二恒流值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱方杰，唐红祥，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32