一种封装体结构的IC电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种封装体结构的IC电路，所述封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管、第二三极管和场效应管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上，采用封装体结构的IC电路，使LED恒流驱动电路结构得到简化，减少元器件的使用，电路布局更简洁，生产更高效，且IC电路的稳定性好，驱动电流输出稳定，能保证LED的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种封装体结构的IC电路，所述封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管、第二三极管和场效应管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上，采用封装体结构的IC电路，使LED恒流驱动电路结构得到简化，减少元器件的使用，电路布局更简洁，生产更高效，且IC电路的稳定性好，驱动电流输出稳定，能保证LED的使用寿命。【专利说明】 一种封装体结构的IC电路
本技术涉及恒流控制电路，具体涉及一种封装体结构的IC电路。
技术介绍
用LED作为显示器或其他照明设备或背光源时，需要对其进行恒流驱动，现有的LED恒流驱动电路主要功能是把交流市电转换成合适LED的直流电，一般是通过整流电路整流滤波后输出恒定电流进行驱动，为了保证输出电流的稳定性，通常采用三极管作为主要的电流放大元件对电流放大进行稳压控制输出，但采用独立的元器件连接构成的恒流控制电路，连接器件较多，结构复杂，电路焊接效率低，电路的稳定性也较差。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的是提供一种封装体结构的IC电路，实现控制稳定电流输出的电路元器件集成在封装结构内，简化电路结构，提高LED驱动电路的生产效率。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种封装体结构的IC电路，所述封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管、第二三极管和场效应管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上。 上述技术方案的改进，所述场效应管为MOS场效应管。 优选的，所述第一三极管为NPN型三极管。 同时，所述第二三极管也为NPN型三极管。 本技术的有益效果是: 在LED恒流驱动电路中，用于放大稳定电流输出的恒流控制电路采用封装体结构的IC电路替代，将实现该功能的元器件集成在IC封装体上，电路结构得到简化，在生产LED驱动电路时电路布局更方便，生产更高效，客户对IC电路的接受度也高，易于推广。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。 图1是本技术的内部电路原理图。 【具体实施方式】 参照图1，本技术提供的一种封装体结构的IC电路，封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管1、第二三极管2和场效应管3，本技术采用的场效应管 3为MOS场效应管，优选的，第一三极管I和第二三极管2都为NPN型三极管，第一三极管I的集电极与第二三极管2的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管3的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上。 上述的IC电路用于连接在桥式整流电路上作为控制电流放大及稳定输出的作用。具体的实施例中，封装体内部元器件与引脚的连接方式为:封装体上包括引脚1-8，第一三极管I的基极连接引脚1，其发射极连接引脚8，集电极与第二三极管2的发射极一并连接引脚7，第二三极管2的基极连接引脚2，其集电极连接引脚6，MOS场效应管3的源极连接引脚3，栅极连接引脚4，漏极连接引脚5，该IC电路结构中，MOS场效应管3起到开关控制作用，控制IC电路中三极管的输入电流，在实际的应用中，根据电路设计要求，可以在IC封装体外连接一个稳压二极管，连接在封装体的引脚3和4之间，稳压二极管可以避免反向击穿，起到保护IC电路的作用。 本技术采用封装体结构的IC电路，同样能实现放大与稳定电流输出的功能，能使LED恒流驱动电路结构得到简化，减少元器件的使用，电路布局更简洁，生产更高效，且IC电路的稳定性好，驱动电流输出稳定，能保证LED的使用寿命。 以上所述仅为本技术的优先实施方式，只要以基本相同手段实现本技术目的的技术方案都属于本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种封装体结构的IC电路，其特征在于:所述封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管、第二三极管和场效应管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上。2.根据权利要求1所述的一种封装体结构的IC电路，其特征在于:所述场效应管为MOS场效应管。3.根据权利要求1所述的一种封装体结构的IC电路，其特征在于:所述第一三极管为NPN型三极管。4.根据权利要求3所述的一种封装体结构的IC电路，其特征在于:所述第二三极管为NPN型三极管。【文档编号】H05B37/02GK203934060SQ201420304890【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日 【专利技术者】彭继辉 申请人:中山市领航光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装体结构的IC电路，其特征在于：所述封装体包括有八个引脚，其内部结构包括有第一三极管、第二三极管和场效应管，第一三极管的集电极与第二三极管的发射极相连接并连接至封装体其中的一个引脚上，两个三极管上的其它管脚以及场效应管的管脚分别连接至封装体的其它七个引脚上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭继辉，
申请(专利权)人：中山市领航光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44