一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构包括：外框架；第一引线框，位于外框架内侧，具有第一载片台，第一载片台用于封装第一MOS管；第二引线框，位于外框架内侧，具有第二载片台，第二载片台用于封装第二MOS管；第三引线框，位于外框架内侧，具有第三载片台，第三载片台用于封装第三MOS管；第四引线框，位于外框架内侧，具有第四载片台，第四载片台用于封装集成芯片，串联的四个二极管和串联的两个二极管集成在所述集成芯片上。本发明专利技术通过三个引线框分别封装第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，使用第四引线框封装由串连的四个二极管和串联的两个二极管集成的集成芯片的封装结构，从而实现封装结构的小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构。
技术介绍
LED具有低电流消耗和较长寿命之类的优点，已经得到日益宽泛的应用，其不仅应用于显示设备也应用于照明领域。目前，在LED照明灯中，可调光LED恒流驱动电路作为其重要的组成部分，成为技术关心的热点。可调光LED恒流驱动电路通常主要采用3个MOS管，6个二极管以及其它辅助元件来实现。但是，由于器件较多，而且多个器件占用空间较大，通常采用分立器件的方式进行封装，而且，现有技术中，也不存在着一种能够实现小型化的集成封装结构，能够满足LED灯进一步小型化的要求。而且，现有封装结构不能实现高效，安全地装片，并且在由于结构的原因，使用上并不方便。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，能够实现封装结构的小型化。为达此目的，本专利技术提供了一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，包括：外框架；第一引线框，位于所述外框架内侧，具有第一载片台，所述第一载片台用于封装第一MOS管；第二引线框，位于所述外框架内侧，具有第二载片台，所述第二载片台用于封装第二MOS管；第三引线框，位于所述外框架内侧，具有第三载片台，所述第三载片台用于封装第三MOS管；第四引线框，位于所述外框架内侧，具有第四载片台，所述第四载片台用于封装集成芯片，串联的四个二极管和串联的两个二极管集成在所述集成芯片上。优选地，所述第一引线框，所述第二引线框和所述第三引线框位于所述外框架内部的一侧，所述第四引线框位于所述外框架内部的另一侧。优选地，所述第四引线框位于所述外框架内部的另一侧的中部位置。优选地，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述集成芯片通过共晶焊接的方式分别与相应载片台进行封装连接。优选地，所述封装结构包含：第一管脚，与所述第三MOS管的栅极相连；第二管脚，与所述第二MOS管的栅极相连；第三管脚，与所述第二MOS管的漏极相连；第四管脚，与所述第一MOS管的栅极相连；第五管脚，与所述第一MOS管的漏极相连；第六管脚，与所述四个二极管的负极相连，并且所述四个二极管的正极与所述第一MOS管的源极相连；第七管脚，与所述两个二极管的负极相连，并且所述二个二极管的正极与所述第二MOS管的源极相连；第八管脚，与所述第三MOS管的漏极相连优选地，所述相连通过引线键合的方式连接。优选地，所述引线为金线或铜丝。优选地，所述第四载片台为悬空载片台。优选地，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管为增强型MOS管或者耗尽型MOS管。本专利技术通过使用位于外框架中的三个引线框分别封装第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，使用第四引线框封装由串连的四个二极管和串联的两个二极管集成的集成芯片的封装结构，从而实现封装结构的小型化。附图说明图1是本专利技术实施例用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构内部的电路图；图2是本专利技术实施例用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构示意图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。图1是本专利技术实施例用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构内部的电路图；图2是本专利技术用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构示意图。如图1和图2所示，本专利技术提供了一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，包括：外框架20；第一引线框21，位于所述外框架20内侧，具有第一载片台，所述第一载片台用于封装第一MOS管Q1；第二引线框22，位于所述外框架20内侧，具有第二载片台，所述第二载片台用于封装第二MOS管Q2；第三引线框23，位于所述外框架20内侧，具有第三载片台，所述第三载片台用于封装第三MOS管Q3；第四引线框24，位于所述外框架20内侧，具有第四载片台，所述第四载片台用于封装集成芯片D，串联的四个二极管D2和串联的两个二极管D1集成在所述集成芯片D上。该封装结构为无基板封装结构，在本领域中，第一引线框、第二引线框、第三引线框和第四引线框通常被称为“小岛”。其中，所述可调光LED恒流驱动电路可以为用于LED灯的可调光LED恒流驱动电路。所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述集成芯片D可以通过共晶焊接的方式分别与相应载片台进行封装连接。其中，载片台的尺寸根据芯片尺寸设计，以达到较好的散热效果，而且，根据散热要求，封装结构的底部塑封面与电路板接触，有利散热。而且，在本专利技术实施例中，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3可以采用不同功率的MOS管，来与LED灯配合，以实现不同功率。优选地，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管为增强型MOS管或者耗尽型MOS管。所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3也可以使用不同类型的MOS管，比如电流为1A的增强型MOS管或者耗尽型MOS管，使其使用在不同的电源电压下。优选地，所述第一引线框21，所述第二引线框22和所述第三引线框23位于所述外框架20内部的一侧，所述第四引线框24位于所述外框架20内部的另一侧。进一步优选地，所述第四引线框24位于所述外框架20内部的另一侧的中部位置。而且，在每个引线框上具有载片台，用于封装芯片。其中，所述第四载片台可以为悬空载片台。在本专利技术实施例中，在进行载片台的固定操作时，可以通过顶筋将多个载片台（第一载片台、第二载片台、第三载片台和第四载片台）相连，通过穿孔外框架塑封来固定悬空载片台，塑封后，及时扳断顶筋，以实现四个载片台间的绝缘。在本专利技术实施例中，如图1所示，所述四个二极管的正极与所述第一MOS管的源极相连，所述二个二极管的正极与所述第二MOS管的源极相连。表1为本专利技术实施例的封装结构的管脚对应表。优选地，如表1所示，所述封装结构具有八个管脚，其中，第一管脚与所述第三MOS管的栅极相连；第二管脚，与所述第二MOS管的栅极相连；第三管脚，与所述第二MOS管的漏极相连；第四管脚，与所述第一MOS管的栅极相连；第五管脚，与所述第一MOS管的漏极相连；第六管脚，与所述四个二极管的负极（这里指的是串联的四个二极管的最外端的负极）相连，并且所述四个二极管的正极与所述第一MOS管的源极相连；第七管脚，与所述两个二极管的负极相连，并且所述二个二极管的正极（这里指的是串联的二个二极管的最外端的负极）与所述第二MOS管的源极相连。其中，所述相连通过引线键合的方式连接，所述引线可以为金线或者铜线。表1管脚描述1G32G23D24G15D16CS17CS28D3在形成载片台和外框架20的固定操作后，需要对三个MOS管和集成芯片D进行装片，使其固定在载片台中，并且通过键合以实现如图1所示的电连接。本专利技术实施例可以使用自动装片机采用二次装片来分别封装三个MOS管和一个集成芯片D，装片分两次，第一次为三个MOS管，第二次为二极管的集成芯片D。上述工艺可以在自动装片机上完成，在对自动装片机装片软件进行编程后，可以实现选择性装片，也就是对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，其特征在于，包括： 外框架； 第一引线框，位于所述外框架内侧，具有第一载片台，所述第一载片台用于封装第一MOS管； 第二引线框，位于所述外框架内侧，具有第二载片台，所述第二载片台用于封装第二MOS管； 第三引线框，位于所述外框架内侧，具有第三载片台，所述第三载片台用于封装第三MOS管； 第四引线框，位于所述外框架内侧，具有第四载片台，所述第四载片台用于封装集成芯片，串联的四个二极管和串联的两个二极管集成在所述集成芯片上。

【技术特征摘要】
1.一种用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，其特征在于，包括：外框架；第一引线框，位于所述外框架内侧，具有第一载片台，所述第一载片台用于封装第一MOS管；第二引线框，位于所述外框架内侧，具有第二载片台，所述第二载片台用于封装第二MOS管；第三引线框，位于所述外框架内侧，具有第三载片台，所述第三载片台用于封装第三MOS管；第四引线框，位于所述外框架内侧，具有第四载片台，所述第四载片台用于封装集成芯片，串联的四个二极管和串联的两个二极管集成在所述集成芯片上；所述第四载片台为通过穿孔外框架塑封固定的悬空载片台。2.根据权利要求1所述的用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，其特征在于，所述第一引线框，所述第二引线框和所述第三引线框位于所述外框架内部的一侧，所述第四引线框位于所述外框架内部的另一侧。3.根据权利要求2所述的用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，其特征在于，所述第四引线框位于所述外框架内部的另一侧的中部位置。4.根据权利要求1所述的用于可调光LED恒流驱动电路的封装结构，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三M...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘戈，何飞，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32