【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种耗尽管的制作方法，其特征在于，该方法包括：在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层，且进行阈值电压注入后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闻正锋，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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