耗尽型MOS管的制造方法及结构技术

本发明专利技术公开了一种耗尽型MOS管的制造方法，沟道调节注入区由一系列沟道调节注入并退火推进形成；一系列的沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得沟道调节注入区表面浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得截止状态时在整个沟道调节注入区耗尽前都不会在沟道调节注入区表面形成反型层。本发明专利技术还公开了一种耗尽型MOS管。本发明专利技术能实现截止状态下对沟道调节注入区完全耗尽，降低截止状态时漏电。

【技术实现步骤摘要】
耗尽型MOS管的制造方法及结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种耗尽型MOS管的制造方法；本专利技术还涉及一种耗尽型MOS管。
技术介绍
如图1所示，是耗尽型MOS管的结构图；以耗尽型NMOS管为例，基本单元结构主要包括：P阱5，形成于P阱5表面的沟道调节注入区8，形成于沟道调节注入区8表面的栅氧化层9和多晶硅栅10，由N+区组成的源区11a和漏区11b。其它结构为：硅衬底1，在硅衬底1表面形成有N型外延层2，N型埋层(NBL)3和P型埋层(PBL)4形成于N型外延层2和硅衬底1的界面。在N型外延层2的表面形成有场氧隔离结构7。PBL通过其顶部的P阱5和P+区12b引出并组成隔离环。形成有沟道调节注入区8的P阱5通过P+区12a引出。N型外延层2中形成有N阱6，N阱6表面形成有N+区11c。其中沟道调节注入区8为N型掺杂用于连接源区11a和漏区11b。在多晶硅栅10加0V偏压即零偏时，源区11a和漏区11b连通，耗尽型NMOS管导通；在多晶硅栅10加负偏压时，沟道调节注入区8会被耗尽，从而使得源区11a和漏区11b断开，耗尽型NMOS管处于截止状态。如图2A所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于，在硅衬底中形成第一导电类型阱区之后，进行一系列的第二导电类型的沟道调节注入并退火推进形成沟道调节注入区；一系列的所述沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得所述沟道调节注入区在硅和所述屏蔽氧化层的界面处的浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得在耗尽型MOS管切换到截止状态时在整个所述沟道调节注入区耗尽前都不会在所述沟道调节注入区表面形成反...

【技术特征摘要】
1.一种耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于，在硅衬底中形成第一导电类型阱区之后，在所述硅衬底表面形成屏蔽氧化层，之后进行一系列的第二导电类型的沟道调节注入并退火推进形成沟道调节注入区；一系列的所述沟道调节注入中的第一次沟道调节注入的注入能量最大、注入剂量最小，后续每一次沟道调节注入的注入能量递减、注入剂量递加，使每一次沟道调节注入的峰值位置浅于前一次沟道调节注入的峰值位置，最后一次沟道调节注入的峰值位于硅和屏蔽氧化层的界面处或位于屏蔽氧化层内部，使得所述沟道调节注入区在硅和所述屏蔽氧化层的界面处的浓度最高且浓度向硅体内方向递减，且使得在耗尽型MOS管切换到截止状态时在整个所述沟道调节注入区耗尽前都不会在所述沟道调节注入区表面形成反型层。2.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：形成所述沟道调节注入区之后，还包括步骤：去除所述屏蔽氧化层并依次形成栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅通过所述栅介质层覆盖在所述沟道调节注入区表面；形成第二导电类型重掺杂的源区和漏区，所述沟道调节注入区连接所述源区和漏区。3.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：一系列的所述沟道调节注入的能量范围为10kev～80kev，注入剂量范围为1e12cm-2～1e13cm-2。4.如权利要求1所述的耗尽型MOS管的制造方法，其特征在于：耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管，所述第一导电类型为N型...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文清，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31