半导体再布线封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体再布线封装工艺，包括：在种子层上形成第一再布线层；在第一再布线层上填充树脂形成第一树脂层，第一树脂层包覆整个再布线层；对第一树脂层和第一再布线层减薄成第二再布线层和第二树脂层；在第二再布线层上形成凸点。采用本发明专利技术的半导体再布线封装工艺，可以减小再布线层与晶圆表面的平行面应力，使得形成的半导体结构更加稳定，且性能更加可靠。

【技术实现步骤摘要】
半导体再布线封装工艺
本专利技术涉及一种半导体封装技术，特别是一种半导体再布线封装工艺。
技术介绍
晶圆级封装较多的产品采用金属再布线的连接方式，部分再布线需承载较大电流，但是再布线面积和厚度受芯片面积及电镀厚度应力影响。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。本专利技术的一个主要目的在于提供一种新的半导体再布线封装工艺，可以减小再布线层与晶圆表面的平行面应力。根据本专利技术的一方面，一种半导体再布线封装工艺，包括：在种子层上形成第一再布线层；在所述第一再布线层上填充树脂形成第一树脂层，所述第一树脂层包覆整个第一再布线层；对所述第一树脂层和所述第一再布线层减薄成第二再布线层和第二树脂层；在所述第二再布线层上形成凸点。采用本专利技术的半导体再布线封装工艺，具有如下优点：1)可减小再布线层与晶圆表面的平行面应力；2)可加大再布线层的厚度；3)可防止晶圆的翘曲。附图说明参照下面结合附图对本专利技术实施例的说明，会更加容易地理解本专利技术的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本专利技术的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。图1为本专利技术的半导体再布线封装工艺的一种实施方式的流程图；图2为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S10后得到的结构示意图；图3为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S20后得到的结构示意图；图4为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S30后得到的结构示意图；图5为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S12后得到的结构示意图；图6为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S13后得到的结构示意图；图7为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S41后得到的结构示意图；图8为采用本专利技术的半导体再布线封装工艺的S42后得到的结构示意图。具体实施方式下面参照附图来说明本专利技术的实施例。在本专利技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本专利技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。参见图1所示，为本专利技术的半导体再布线封装工艺的一种实施方式的流程图。在本实施方式中，半导体再布线封装工艺包括：S10:在种子层201上形成第一再布线层301，形成如图2所示的结构。S20:在第一再布线层上填充树脂形成第一树脂层302，第一树脂层302包覆整个再布线层301，形成如图3所示的结构。S30:对第一树脂层302和第一再布线层302减薄成第二再布线层301’和第二树脂层302’，形成如图4所示的结构。在一种实施方式中，减薄后形成的第二再布线层301’和第二树脂层302’厚度大于10um。S40:在第二再布线层上形成凸点。采用本实施方式的半导体再布线封装工艺，利用第二树脂层302’作为绝缘层，可以增强对整个封装结构的保护。在一种实施方式中，半导体再布线封装工艺，在步骤S10之前，还可以包括：S11:在晶圆101上形成焊盘100；S12:在晶圆101的非焊盘位置从下到上形成钝化层102和第一绝缘层103，形成如图5所示的结构；S13:在焊盘100和第一绝缘层103上溅射形成种子层201，并形成如图6所示的结构。作为一种优选方式，步骤30可以具体包括：S31:对第一树脂层302和第一再布线层301减薄并进行压合退火，形成第二再布线层301’和第二树脂层302’。在一种实施方式中，步骤S40可以具体包括：S41:在第二再布线层302’上形成铜柱303，并在铜柱303上形成凸点401，例如，可以采用回流焊的方式在铜柱303上形成凸点401，形成如图7所示的结构。或者，在另一种实施方式中，步骤S40还可以具体包括：S42:在第二再布线层302’上的非焊接位置形成第二绝缘层103’，并在第二再布线层302’的焊接位置植入焊球401’，形成如图8所示的结构。例如，可以采用回流焊的方式将焊球401’固定在该焊接位置。采用本专利技术的半导体再布线封装工艺，可以减小再布线层与晶圆表面的平行面应力，使得形成的半导体结构更加稳定，且性能更加可靠。在本专利技术的设备和方法中，显然，各部件或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本专利技术的等效方案。还需要指出的是，执行上述系列处理的步骤可以自然地按照说明的顺序按时间顺序执行，但是并不需要一定按照时间顺序执行。某些步骤可以并行或彼此独立地执行。同时，在上面对本专利技术具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。虽然已经详细说明了本专利技术及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本专利技术的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本申请的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本专利技术的公开内容将容易理解，根据本专利技术可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体再布线封装工艺，其特征在于，包括：在种子层上形成第一再布线层；在所述第一再布线层上填充树脂形成第一树脂层，所述第一树脂层包覆整个第一再布线层；对所述第一树脂层和所述第一再布线层减薄成第二再布线层和第二树脂层；在所述第二再布线层上形成凸点。

【技术特征摘要】
1.一种半导体再布线封装工艺，其特征在于，包括：在种子层上形成第一再布线层；在所述第一再布线层上填充树脂形成第一树脂层，所述第一树脂层包覆整个第一再布线层；对所述第一树脂层和所述第一再布线层减薄并进行压合退火，形成第二再布线层和第二树脂层，所述第二树脂层包覆所述第二再布线层的侧面且所述第二树脂层与所述第二再布线层齐平；在所述第二再布线层上形成凸点；所述“在所述第二再布线层上形成凸点”具体包括：在所述第二再布线层上形成铜柱，并在所述铜柱上形成凸点；或者，在所述第二再布线层上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国华，郭飞，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32