半导体工艺、半导体结构及其封装构造制造技术

本发明专利技术是有关于一种半导体工艺、半导体结构及其封装构造，该半导体工艺包含提供一个载体，该载体具有金属层，该金属层具有多个衬底区及多个外侧区；形成第一光刻胶层；形成多个承载部；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层，该第二光刻胶层显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块(snap?bump)；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；移除该金属层的所述外侧区，以使所述衬底区形成多个凸块下金属层。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺、半导体结构及其封装构造
本专利技术是有关于一种半导体工艺，特别是有关于一种具有钮扣状凸块的半导体工艺。
技术介绍
现有习知的半导体封装结构具有基板、芯片及焊料，其中现有习知的半导体封装结构借由焊料使芯片的凸块与基板的连接垫电性接合，然而由于目前的电子产品体积越来越小，因此芯片上的凸块间距也越来越小，在此情形下，焊料在回焊时容易溢流至邻近凸块而产生短路的情形，影响产品的正品率。由此可见，上述现有的半导体工艺在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的半导体工艺、半导体结构及其封装构造,实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的半导体工艺存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体工艺、半导体结构及其封装构造，所要解决的技术问题是在提供一种半导体工艺，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的其至少包含下列步骤：提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；形成多个承载部在所述第一开口；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部，该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块(snapbump)；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；以及移除该金属层的所述外侧区，以使该金属层的所述衬底区形成多个凸块下金属层。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体工艺,其中所述的各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。前述的半导体工艺,其中所述的各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。前述的半导体工艺,其中所述的所述承载部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体工艺,其中所述的所述接合部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体工艺,其中所述的所述凸块下金属层的材质能够选自于钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金等。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的其至少包含：一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及多个钮扣状凸块(snapbump)，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构,其中所述的其另包含有镀金层，该镀金层包覆各该钮扣状凸块。前述的半导体结构,其中所述的各该凸块下金属层具有环壁，该镀金层包覆所述环壁。前述的半导体结构,其中所述的各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。前述的半导体结构,其中所述的各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。前述的半导体结构,其中所述的所述承载部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体结构,其中所述的所述接合部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体结构,其中所述的所述凸块下金属层的材质能够选自于钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金等。本专利技术的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体封装构造,其中所述的其至少包含：一个半导体结构，其包含：一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；及多个钮扣状凸块(snapbump)，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区；以及一个基板，其具有多个连接元件及多个焊料，各该焊料形成于各该连接元件上，所述连接元件结合于所述钮扣状凸块的所述接合部，所述焊料包覆所述接合部且所述焊料连接所述承载部及所述连接元件。前述的半导体封装构造,其中所述的所述焊料限位于所述承载面的所述第二区。前述的半导体封装构造,其中所述的所述金属环的材质为金。前述的半导体封装构造,其中所述的各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。前述的半导体封装构造,其中所述的所述承载部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体封装构造,其中所述的所述接合部的材质能够选自于金、镍或铜等。前述的半导体封装构造,其中所述的所述凸块下金属层的材质能够选自于钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金等。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,为达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体工艺，其包含下列步骤：提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；形成多个承载部在所述第一开口；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部，该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块(snapbump)；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；移除该金属层的所述外侧区，以使该金属层的所述衬底区形成多个凸块下金属层。借由上述技术方案，本专利技术半导体工艺、半导体结构及其封装构造至少具有下列优点及有益效果：由于所述钮扣状凸块具有所述承载部及些接合部，因此与基板结合时，基板上的焊料能够承载及限位于所述承载部上，防止焊料溢流至邻近钮扣状凸块而导致电性失效的情形。综上所述，本专利技术半导体工艺，其包含提供一个载体，该载体具有金属层，该金属层具有多个衬底区及多个外侧区；形成第一光刻胶层；形成多个承载部；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层，该第二光刻胶层显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块(snapbump)；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；移除该金属层的所述外侧区，以使所述衬底区形成多个凸块下金属层。本专利技术在技术上有显着的进步，并具有明显的积极效果,诚为新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺,其特征在于其至少包含下列步骤：提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；形成多个承载部在所述第一开口；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部,该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块；移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；以及移除该金属层的所述外侧区，以使该金属层的所述衬底区形成多个凸块下金属层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺,其特征在于其至少包含下列步骤：提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；形成多个承载部在所述第一开口；移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区；形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部,该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志明，何荣华，林恭安，陈昇晖，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：