【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出，该方法包括在硅衬底上制作锡凸点，并基于锡凸点的直径和/或高度来实现凸点曲率半径的控制，在锡凸点表面光刻出金属引线，沉积介质材料，将金属引线包围在介质材料中最后释放衬底和锡凸点而制得封装结构。该方法所制得的封装结构，凹面结构的侧壁曲率可控，凹面直径可在几十微米到几毫米之间自由调节，可用于BSI、MEMS、WLP等多种非平面封装需求，具备良好的工艺适应性。【专利说明】
本专利技术涉及一种芯片封装结构及其制造方法，尤其是一种具有可控曲率面的封装结构。
技术介绍
近年来，电子产品的设计朝着轻、薄、短、小的方向迈进，在进行电路设计时，均融入了系统化的概念，使单颗芯片可以具备多种功能，就电子封装技术而言，为了配合轻、薄、短、小的设计趋势，亦发展出多芯片模块(MCM)封装的概念，特别是三维(3D)封装首先突破传统的平面封装的概念，使单个封装体内可以堆叠多个芯片，实现了存储容量的倍增，业界称之为叠层式3D封装。传统的封装结构都是在平面基板上进行封装，但是随着芯片技术的发展，仅在平面基板上进行封装，已不能满足设计需求，比如BSI (背投图像传感...
【技术保护点】
一种用于制造具有可控曲率凹面的封装结构的方法，其特征在于包括下列步骤：(a)在衬底上溅射金属种子层，在种子层上光刻显影出焊盘，在所述焊盘中电镀锡柱，然后回流形成锡凸点；(b)在锡凸点的表面上制作导电结构；(c)沉积介质材料，将导电结构包围在介质材料中，介质材料形成支撑；(d)释放所述衬底和锡凸点，形成具有凹面的封装结构；其中，在步骤(a)中，可控制锡柱的高度或/和底面积，来调整锡凸点的曲率半径。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐世弋，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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