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本发明提出一种具有可控曲率的凹面结构的封装结构及其制造方法，该方法包括在硅衬底上制作锡凸点，并基于锡凸点的直径和/或高度来实现凸点曲率半径的控制，在锡凸点表面光刻出金属引线，沉积介质材料，将金属引线包围在介质材料中最后释放衬底和锡凸点而制得...
该专利属于上海微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备有限公司授权不得商用。

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