半导体圆片级封装工艺制造技术

技术编号:11415086 阅读:81 留言:0更新日期:2015-05-06 14:54
本发明专利技术涉及一种半导体圆片级封装工艺,包括:在再配线层上的非焊接位置形成树脂层;在再配线层的焊接位置填充焊料;在焊接位置植入焊球。采用本发明专利技术的半导体圆片级封装工艺,可以防止焊球与再配线层之间形成裂纹,从而避免了半导体器件的失效。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体圆片级封装工艺,其特征在于,包括:在再配线层上的非焊接位置形成树脂层;在再配线层的焊接位置填充焊料;在所述焊接位置植入焊球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钱泳亮
申请(专利权)人:南通富士通微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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