【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：其包括以下步骤：用BOE和EG混合溶剂漂洗圆片；用表面活性剂清洗圆片，再喷淋甩干圆片；去除圆片上的光刻胶；再次用BOE与EG漂洗；以及使用去离子水清洗圆片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐乃涛，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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