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本发明涉及一种清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其包括以下步骤：用BOE和EG混合溶剂漂洗圆片；用表面活性剂清洗圆片，再喷淋甩干圆片；去除圆片上的光刻胶；再次用BOE与EG漂洗；以及使用去离子水清洗圆片。本发明涉及的清洗方法可实现对圆片上残留...
该专利属于美新半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美新半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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