【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，用以形成NMOS晶体管和PMOS晶体管的替代栅极结构，该方法包含︰执行至少一个蚀刻工艺，以去除该NMOS晶体管的牺牲栅极结构和该PMOS晶体管的牺牲栅极结构，从而定义NMOS栅极腔和PMOS栅极腔；在该NMOS栅极腔和该PMOS栅极腔中形成高k栅极绝缘层；在该高k栅极绝缘层上形成位于该NMOS和PMOS栅极腔内的镧系材料层；执行至少一个加热工艺，以从该镧系材料层将材料驱入该高k栅极绝缘层，从而在每个该NMOS和该PMOS栅极腔内形成含镧高k栅极绝缘层；以及执行至少一个工艺操作，以在该NMOS栅极腔中的该含镧高k栅极绝缘层上方形成第一栅极电极结构、以及在该PMOS栅极腔中的该含镧高k栅极绝缘层上方形成第二栅极电极结构。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔起植，金勋，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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