一种Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管及其制备方法，该方法包括：在Ｎ型衬底基片待制备ＭＯＳ电极区域之外的上表面制备场氧化层，并在未被所述场氧化层覆盖的区域制备栅氧化层；在所述栅氧化层上面待制备ＭＯＳ栅极的区域，制备未掺杂的多晶硅层；从所述Ｎ型衬底基片上方未被场氧化层覆盖的区域注入设定剂量的硼离子，使所述未掺杂的多晶硅层形成Ｐ型多晶硅层，以及使未被所述未掺杂的多晶硅层和场氧化层覆盖的Ｎ型衬底基片上面表层区域形成Ｐ型源（漏）区；对形成源（漏）区和Ｐ型多晶硅层后的Ｎ型衬底基片进行退火处理，得到Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管。上述方法简化了制备工艺，提高了晶体管开启电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤指一种P沟道耗尽型MOS (金属-氧化物-半导体， Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管及其制备方法。
技术介绍
P沟道增强型MOS晶体管的开启电压小于0，由于小于开启电压的电压值才能使晶 体管导通，因此，当P沟道增强型MOS晶体管的栅极与源极电压之差(简称“栅源电压”)为 0时，MOS管不能开启工作；P沟道耗尽型MOS晶体管的开启电压大于0，因此，当栅源电压为 0时，MOS管可以开启工作，即源极和漏极之间导通。传统的P沟道耗尽型MOS晶体管的制备工艺，一般在P沟道MOS晶体管的N型多 晶硅栅的下方制作P型导电沟道，使得在栅源电压为0时，源极和漏极能够导通。具体工艺 步骤如下步骤1 在N型衬底基片上面生长的薄氧化层。N型衬底采用单晶硅，薄氧化层的生长在高温炉管中完成。步骤2 在薄氧化层上面生长氮化硅层。氮化硅层的生长在在低温炉管中完成。步骤3:进行第一次光刻。在N型衬底基片的待制备MOS电极的区域(准备制作MOS晶体管的栅极/源极/ 漏极的区域)的氮化硅层的上面覆盖光刻胶。非MOS电极的区域则不需要覆盖光刻胶。图1为N型衬底基片本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管制备方法，其特征在于，包括：在Ｎ型衬底基片待制备ＭＯＳ电极区域之外的上表面制备场氧化层，并在未被所述场氧化层覆盖的区域制备栅氧化层；在所述栅氧化层上面待制备ＭＯＳ栅极的区域，制备未掺杂的多晶硅层；在所述Ｎ型衬底基片上方未被场氧化层覆盖的区域注入设定剂量的硼离子，使所述未掺杂的多晶硅层形成Ｐ型多晶硅层，以及使未被所述未掺杂的多晶硅层和场氧化层覆盖的Ｎ型衬底基片上面表层区域形成Ｐ型源（漏）区；对形成源（漏）区和Ｐ型多晶硅层后的Ｎ型衬底基片进行退火处理，得到Ｐ沟道耗尽型ＭＯＳ晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，马万里，张立荣，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]