【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种上桥臂N沟道场效应管驱动电路。
技术介绍
一般在驱动功率器件，如电机、发热器件的时候，会使用到逆变电路，逆变电路通常有ー个或者多个桥臂组成。由于N沟道场效应管能够提供较大的电流，且价格比同样功率的P沟道场效应管低廉，储存更为方便，在逆变电路中得到了广泛的应用。然而，公知的技术表明，N沟道场效应管工作在饱和导通的条件下，其栅极要比源 极高出一定的电压，通常这个电压在12V左右。对于下桥臂，由于其源极的电压为0V，因此，下桥的N沟道场效应管的栅极驱动电压只要满足导通电压为12V左右即可可靠地饱和导通；对于上桥臂，由于该N沟道场效应管的源极与负载相连，因此在导通的时候，源极的电压与漏极相近，以漏极电压36V为例，那么要使得该N沟道场效应管可靠的饱和导通，施加在栅极的电压大致要48V左右，产生比较困难。现有的驱动方式主要有两种，一种是配置独立电源，在36V的基础上，直接将外置独立电源的负端与N沟道MOS管的源级相连，正端与该N沟道MOS管的门极或者门极驱动电路相连。由于要配置ー套独立的电源，在体积和成本上都存在缺陷。另外ー种方式是采用专用芯片，如IR2103等使用自举充电的方式，电路结构较为简单，然而存在难以得到100%占空比的缺点，同时这类驱动芯片价格较为昂贵。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的是提供ー种上桥臂N沟道场效应管驱动电路，该电路可以实现100%的占空比输出，占空比范围更宽，结构简单，成本较低。为实现上述目的，本专利技术采取以下技术方案I. ー种上桥臂N沟道场效应管驱动电路，包含升压电路I和N沟道场效应管驱动电路2。2.所述的ー种上...
【技术保护点】
一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路，其特征在于包含升压电路1和N沟道场效应管驱动电路2，所述的升压电路1包含555定时芯片U1，电阻R1，电容C1、C2、C3、C4、C5，二极管D1、D2，以及直流电压36V和直流电压12V；所述的555定时芯片U1的TH端和TR端直接连接，并通过电阻R1同555定时芯片U1的OUT端相连，所述的555定时芯片U1的TH端和TR端同GND之间还由电容C1相连，所述的555定时芯片U1的VC端同GND之间还有电容C2相连；所述的N沟道场效应管驱动电路2包含场效应管Q4，三极管Q1、Q2、Q3，电阻R2、R4、R5、R6，二极管D3，以及负载；所述的场效应管Q4的漏极接入直流电压36V，源级通过负载与GND相连；输入信号由SIG端输入，经过R4、Q2后驱动三极管Q1，再由Q1的集电极输出到三极管Q3、D3、R6，由于R6和Q3都与场效应管Q4的门级相连。
【技术特征摘要】
1. 一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路，其特征在于包含升压电路I和N沟道场效应管驱动电路2，所述的升压电路I包含555定时芯片Ul，电阻Rl，电容C1、C2、C3、C4、C5，二极管Dl、D2，以及直流电压36V和直流电压12V ;所述的555定时芯片Ul的TH端和TR端直接连接，并通过电阻Rl同555定时芯片Ul的OUT端相连，所述的555定时芯片Ul的TH端和TR端同GND之间还由电容Cl相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾敏明，潘海鹏，王惠姣，蒋琳，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：实用新型
国别省市：
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