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本实用新型涉及一种上桥臂N沟道场效应管驱动电路，由升压电路和N沟道场效应管驱动电路组成。其中所述升压电路由以555为核心的脉冲发生芯片和相关辅助器件构成。所述的N沟道场效应管驱动电路包含场效应管Q4，三极管Q1、Q2、Q3，电阻R2、R4、...
该专利属于浙江理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学授权不得商用。

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